装饰在天津杨柳青石家大院建筑中的运用

对石家大院及建筑装饰艺术进行了综述,并就石家大院的雕刻手法作了详细介绍,通过运用砖雕、木雕、石雕的装饰方式,使石家大院的建筑具有了艺术的外观形象,更让石家大院的建筑艺术具有了思想内涵和民族性。     

如何做一名合格的市政工程项目质检员

结合工作经验,介绍了市政工程项目质检员在工程开工前需做的准备工作,主要对施工过程中文件的收集、现场验收、填报资料、划分检验批等工作细节进行了论述,并简单阐明了竣工后的资料整理工作,以做好质检员的本职工作。     

低氢型结构钢焊条的工艺性判定

利用汉诺威分析仪对低氢型结构钢焊条的焊接参数进行测试分析,发现低氢型结构钢焊条短路过渡形态的特征与加权燃弧时间T3及过渡周期时间TC有关,据此建立低氢型结构钢焊条的特征信息对应关系图,为科学评价低氢型结构钢焊条的工艺性提供了新思路.     

MISHFET的研制

本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。     

氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响

本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度。以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应。本文研究表明,氩等离子体处理是消除氧化物阻变效应电形成过程的有效手段。     

金属改性丝光沸石催化剂上MTG重油中均四甲苯烷基转移反应

采用挤条和等体积浸渍法制备了一种ZSM-5催化剂和四种金属改性的丝光沸石催化剂,采用XRD、低温氮气吸脱附、NH_3-TPD和Py-IR技术对催化剂进行物化性质表征,在固定床反应器上进行MTG重油中均四甲苯烷基转移反应性能评价。研究结果表明,丝光沸石的孔结构更适合均四甲苯烷基转移反应,HZSM-5的孔径较小且酸性强,更容易堵塞孔道导致催化剂活性快速下降;Mo改性的丝光沸石催化剂具有较多的弱B酸中心,具有良好的烷基转移能力,均四甲苯烷基转移转化率达到39.42%。     

锌改性HGaZSM-5分子筛催化甲醇制芳烃（MTA）反应性能

通过水热合成法制得GaZSM-5分子筛,经酸交换成得到氢型分子筛HGaZSM-5。采用浸渍法、机械混合法和离子交换法制备出一系列Zn改性GaZSM-5分子筛,分别记作WI,PM,IE。采用XRD、SEM、FT-IR、XPS、ICP、低温氮气吸脱附、NH3-TPD和Py-IR等技术对其进行物化性质表征,并在连续流动固定床反应器上进行甲醇制芳烃（MTA）反应性能评价。结果表明,改性方法对分子筛的晶体结构没有影响,对孔径分布数量有一定的调变作用。锌改性降低了强酸强度并减少强酸量,提高L酸比例。氧化锌和与骨架有强相互作用的锌均能提高芳烃选择性,浸渍改性的锌负载量（w）超过3.0%时会导致催化剂快速积炭失活。机械混合法所得分子筛的B酸和锌活性中心的协同作用最好,平均芳烃选择性达到44.39%,使用寿命为216 h。     

由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器

本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。     

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制.实验结果表明:在同样条件下GaAs刻蚀的速率高于DBR和AlAs,在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率可达400nm/min,AlAs的刻蚀速率可达350nm/min,DBR的刻蚀速率可达340nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌,同时能够形成陡直的侧墙,侧墙的角度可达85°.     

基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合

提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.