基于双平行互质阵列的二维非网格DOA估计

近年来,基于稀疏表示的DOA估计方法已经被广泛提出,这些方法都需预设离散的网格点,而实际信号来波方向在空间域内具有随机性,任何来波方向都是等概率出现,很有可能信号的来波方向不在网格上,因而会存在网格误差,使DOA估计结果产生较大偏差。为提高DOA估计精度,本文提出了非网格的DOA估计模型。同时,为提高测向自由度,本文应用由两个均匀线阵组成的互质阵列,并且将两个均匀线阵平行放置在同一平面。通过将两均匀线阵的互协方差矩阵向量化成互协方差矢量,可得到一维虚拟扩展的接收数据矢量,并且在稀疏表示框架下应用相应的稀疏恢复算法恢复出跟DOA参数相关的向量,从该向量中得到唯一的并且自动配对的二维DOA估计参数。仿真实验结果验证了本文算法较传统算法具有更好的DOA估计性能。     

基于非线性优化模型的数码相机标定算法

针对针孔线性模型的缺点,引入非线性因素（如相机的畸变等）,建立基于Tsai算法的非线性模型。这种模型需要先用线性模型求出一个较准确的参数,然后根据这些参数利用非线性模型进一步提高精度。模型检验中由于图像畸变一般在边缘较大,为了更好体现模型检验的可信性,选取图像边缘上的点做检验,并进行重投影误差计算。结果表明非线性模型的精度相对于线性模型精度有很大程度的提高。     

一种新的单枚被动定向浮标目标定位方法

为解决单枚被动定向(DIFAR)浮标目标定位的问题,提出一种新的DIFAR浮标目标定位方法。该方法针对下一代新型高性能浮标处理平台,在使用目标方位数据同时,充分利用目标的多普勒信息,实现了单枚DIFAR浮标对目标的发现、定位、追踪。在计算目标参数时,新算法利用多次测量数据,以最小二乘原理,进一步提高了目标参数的计算精度。仿真结果表明了新算法的正确性。整个算法简单、稳定,易于工程实现,克服了传统算法至少需要2枚DIFAR浮标参与才能完成目标定位的缺点。     

AlGaN-GaN和GaN上的低能Si离子注入工艺

阐述GaN注入掺杂的激活退火一直受到GaN高温分解现象的制约,高温退火的目的是恢复注入造成的晶格损伤,激活注入的原子替代晶格原子。由于在注入过程中提高衬底温度已被证明可有效减少晶格损伤并有助于提高其他半导体材料的激活效率,探讨将这种方法应用于AlGaN/GaN和GaN中的Si离子注入。仿真和实验在Al0.25Ga0.75N/GaN和GaN样品结构中,进行Si离子注入,分析实验结果。     

分立逻辑器件将便携式系统连结起来

诸如微处理器、控制器、DSP和ASIC产品等超大规模半导体集成电路是启动便携式电子产品快速成长的最主要技术;然而,在今天的几乎每一款便携式产品内部也会看到很多的分立逻辑器件,这些器件在连结便携式系统方面扮演了一个关键性的角色:将内核部分与外界联系起来的接口部分以及给产品增加的诸如升级、时钟分配和调节、电源管理支持等任选功能方面。这个角色与高集成度器件一样重要。     

MEI系数的快速计算及其在电大尺寸电磁散射问题中的应用

本文针对电大尺寸导体柱电磁散射问题,利用跳点平均的方法来加速MEI系数的求取,并结合快速MEI算法,使总的求解时间在快速MEI的基础上缩短近十倍。数值计算结果证明了该方法的正确性和有效性,并进一步讨论了合适的跳点距离。     

InGaAs-GaAs脊波导DBR激光器双模运行特性研究

对一种新型InGaAs-GaAs脊波导分布式Bragg反射(DBR)半导体激光器双模运行特性进行了研究.该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成,两DBR区采用均匀蚀刻的Bragg光栅,中间加入50～100 μm的分隔区,以减小两DBR区间的热作用影响.实验发现,在增益区偏置电流强度满足双模(双波长)运行条件的情况下,在分隔区施加一电流Ispace,会对双模调谐特性产生非常大的影响.结果表明:施加适当的Ispace可使双波长的可调谐间隔显著增加,并同时提高2个激射模的边模抑制比;在一定的范围内,较大的Ispace对应较好的双模运行参数.测量了3种几何尺寸样品在多种偏置电流下的双模运行特性,对分隔区长度、Ispace以及两者组合对双模调谐特性的影响作了深入研究.研究结果对改善双波长DBR半导体激光器双模运行特性给出了有用的信息.     

超材料吸波体设计及其雷达散射截面分析

设计了一种基于电磁超材料的吸波体。该吸波体是由两层金属及其中间的有耗介质组成,上层金属是由刻蚀交叉缝隙的贴片形成的电谐振器,下层金属不刻蚀,作为整个金属地板。通过优化结构参数,得到了一种极化不敏感、宽入射角的超薄吸波体,吸波率达到99.1%,厚度只有约0.01λ.通过对其雷达散射截面(RCS)的分析,表明该吸波体具有良好的RCS减缩特性,在法向方向最大减缩20 dB.实验结果与仿真结果一致,表明该吸波体在电磁隐身领域具有潜在的应用价值。     

基于用电信息采集的智能反窃电技术探析

本文将对利用用电信息采集系统的智能反窃电技术进行详细的介绍。结合自身经验对其应用加以探究,以供大家参考。     

高压光开关器件的设计

详细叙述了一种高压光电晶闸管的结构及参数设计 ,用最优化方法确定出长基区宽度 ,选取了最佳的工艺途径及材料参数。简单介绍了实验研究及结果 ,并进行了简要的讨论。