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用分子束外延在Si(100)衬底上生长出CdTc。可以得到两种取向:当CdTe直接沉积在Si(100)衬底上时,所得到的取向为(100)B CdTe;当首先生长ZnTe中间层时,所得到的取向为(100)CdTe。(111)B取向层由旋转90°的两个畴组成,仅具有一个畴的取向层能够在取向偏差8°的Si(100)上生长。为达此目地,还需要发现其最佳取向偏差。用反射高能电子衍射,光致发光光谱,扫描电子显微镜和x射线研究了这些取向层的特性。利用分子束外延技术,在(111)B CdTe层上还生长出Hg_(1-x)Cd_xTe;而前者被沉积在Si(100)衬底上。 相似文献
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引言自80年代中期,单色(黄色)薄膜电致发光(TFEL)显示屏已经在市场上出现。然而,人们对于研制多颜色TEEL显示器的要求有所增加。在过去的五年中,研制其它的TFEL彩色荧光粉比研制发黄色光的ZnS:Mn更有进展。虽然TFEL仍然需要改进,但对于生产具有极好外观,中等成本和低功耗的平板显示器来说,它仍然是一个有力的竞争者。自从首次发表TbF_3分子发射中心方面的结果以来,作为一种有用的发绿色光EL荧光粉,ZnS:Tb是最有前途的选择材料。目前,最好的绿色TFEL荧光粉已接近实际 相似文献
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用分子束外延法生长了掺饵GaAs和GaAlAs双异质结发光二极管.这两种器件在温度为300K时呈现1.54μm电致发光.注入电流低到0.8mA/Cm~2时,所检测到的GaAlAs:Er的光谱线比GaAs:Er的要窄得多.同时还发现,温度300K时外量子效率为10~(-6)。本文还提供了有关从注入载流子到稀土能量传递的初始数据。 相似文献
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一、概述与CRT投影显示器相比,LCD投影显示器具有以下优点:(1)容易实现小型化及薄型化;(2)具有良好的颜色再现性;(3)对于整个系统的构造,一个单投影物镜系统就足够了,因此,容易加工;(4)不久的将来,通过生产技术的改 相似文献
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本文叙述了确定膜薄电致发光器件电场钳位电压的主要因素。指出钳位电场取决于发光层的电导。钳位电场强度随着发光层电导的增加而降低,通过发光层的制备方法和生长条件 相似文献
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本文报道了一种新的薄膜生长技术即:用元素Zn和元素S作为源材料并用分子束外延(MBE)法实现了ZnS的光助同质外延生长。用氙灯的350nm单色紫外线辐照,大大地改善了ZnS的结晶度。在260℃时,其生长速率约为0.6μm/h。用RHEED图,表面照像和光致发光光谱表明了晶体的性能。本文还讨论了辐照强度依赖关系以及生长机理。前言对光谱在蓝色到紫外的发光器件,例如发光二极管和激光二极管,ZnS是一种有前 相似文献
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近年来,有关实验技术的改进不断增加,关于材料方面的知识不断增长。基于以上两种原因,物理系统的激发态动力学为越来越多的科学家所关注。1985年7月9日～19日,在意大利的瓦伦纳举办了有来自世界各地60位学者参加的 E.弗米第96期国际物理学讲习班。其间发表近20篇学术报告,报告所涉及的专题划分为四个部份:电子激发、声子激发、能量的转换和衰减、各学科之间的论题。报告为理解固体中的激发特性以及用光谱工具进行研究,做 相似文献