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介绍了一种基于USB总线的绝缘电阻测试模块,给出了模块的主要组成、高压电源和继电器矩阵开关阵列等主要电路的设计原理、支持USB2.0接口的控制器CY7C68013的硬件设计方法及主机应用程序开发要点,模块能自动实现多个相互独立电路间测试切换,具有支持热插拔,即插即用,造价低廉等特点。 相似文献
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近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23~25V,P管击穿BVdssp>19V. 相似文献
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低功耗TFT-LCD驱动方法 总被引:1,自引:2,他引:1
为了降低薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的功耗,提出了一种新的双栅之型反转驱动方法。研究了双栅之型反转驱动技术的节能原理,完成了相关结构设计、电路设计,制作了35.6cm(14in)WXGA(1 366RGB×768)样品,测试并分析了节能效果。结果表明,该技术可以有效降低TFT-LCD的功耗,在显示彩条画面的情况下,液晶屏模拟电源功耗降低了70%(191mW)。分析了出现的莫尔条纹问题,并提出了解决方案。该研究为降低TFT-LCD及其他显示设备的功耗提供了一种驱动方法及设计参考。 相似文献
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提出了一种GaN薄膜电学参量测试新方法.该方法基于双肖特基结二极管结构,利用非对称的电极图形获取整流特性,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数.对残留载流子浓度为7×1016 cm-3 的非故意掺杂GaN薄膜进行了试验,新方法得到Ni/Au-GaN肖特基接触的理想因子为2.8,GaN薄膜方块电阻为491Ω和电子电导迁移率为606cm2/(V·s).这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通Ni/Au-GaN肖特基二极管测试所得结果较为吻合.该方法为半导体薄膜测试提供了新思路,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究. 相似文献
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