基体放置状态与脉冲偏压幅值对大颗粒形貌和分布的影响

利用电弧离子镀方法制备了TiN薄膜,研究了脉冲偏压幅值和试样放置状态对Ti大颗粒形貌和分布规律的影响。采用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,利用Image J科学图像软件对Ti大颗粒的数目和尺寸进行了分析。结果表明:在不施加脉冲偏压时,随着试样表面与靶表面放置方向从平行到垂直,大颗粒数目迅速由4964降低到3032,所占薄膜的面积比从12.1%减少到4.7%;而在相同的放置方向下,发现静止状态下的薄膜表面大颗粒数目较少,尺寸也较小,而转动状态下大颗粒形貌差别较大,尺寸和所占的面积比较大。随着脉冲偏压幅值的增加,在各个放置状态下大颗粒都出现了先减小后增加的趋势,当幅值在-400 V时,薄膜表面大颗粒所占的面积比都达到最小值。     

聚类法在判别矿井各含水层水力联系中的应用

以峰峰矿区梧桐庄矿为例，采用聚类分析的方法，建立了一个可以判别各个含水层之间的水力联系程度及大小、并能判别突水水源的数学模型，弥补了其它方法的不足。实践证明有很高的准确性。     

基于振弦式传感器的大坝渗压监测系统设计

针对渗压自动化监测系统运行环境恶劣、可靠性要求高的特点,设计了基于振弦式传感器的大坝渗压自动化监测系统。该系统的硬件部分以LPC2368FBD为主控制器,集数据采集、数据存储、数据显示、电源管理于一体。阐述了振弦式传感器的工作原理与特性;介绍了大坝渗压自动化监测系统的硬件、软件结构和设计思想;详细分析了数据采集电路的设计原理与实现过程。将该系统样机在实验室进行了测试和试运行,频率测量精度达±1%;信号和电源防雷击和抗电磁干扰功能强;具有LCD液晶显示功能,可直接显示采集数据,且体积小、造价低,适应现场恶劣环境。     

矿压缺失数据插值算法研究

提出了一种基于粒子群的三次样条插值算法,详细阐述了该算法应用于矿压缺失数据插值时的实现步骤和基本流程。该算法具有三次样条插值方法良好的分段光滑性,同时具有粒子群算法参数少、易于实现的优点。对相同地点不同工作面、不同地点不同工作面的矿压缺失数据插值的应用实例分析表明,该算法对矿压缺失数据的插值是有效的;与目前几种常用的缺失数据插值方法的比较结果表明,该算法更加准确、有效。     

基于CDIO的高职软件技术专业人才培养方案

本文介绍苏州工业园区职业技术学院基于CDIO工程教育模式制定的高职软件技术专业人才培养方案,探讨基于CDIO工程教育模式的软件人才培养方案制定方法,包括工作过程系统化的高职软件技术专业课程体系构建、核心专业课程开发、模块化教学与学期项目的实施,最后提出该方案实施所必备的师资条件、实验实训条件等。     

光伏压延玻璃花型角对透过率的影响

根据光伏压延玻璃的实际使用情况研究了压花面朝下时花型角对光学性能的影响,利用菲涅尔公式以及几何光学定律计算了不同花型角的光伏压延玻璃在光线垂直入射和斜入射情况下的透过率,并和无花型时的平面玻璃的透过率进行了对比,结果表明:垂直入射时只有花型角在120°~140°时能起到增加透过率的作用;斜入射时由于光线在花型左侧面发生全发射,综合来看压花玻璃的透过率不如平面玻璃的透过率。     

超白玻璃熔窑内玻璃液流动和传热的三维数值模拟

利用流体动力学计算方法分析了超白玻璃熔窑内玻璃液的三维流动和传热状况,得到了玻璃液在熔窑内的温度场和速度场,在此基础上计算出代表玻璃液熔制质量的滞留时间、熔融指数和澄清指数,对研究玻璃熔窑结构性能、提高玻璃熔制质量以及优化工艺参数都有重要意义。     

放置方向和沉积时间对 Ti 大颗粒分布状态的影响

目的研究基体表面和靶表面不同放置方向以及沉积时间对Ti大颗粒形貌和分布规律的影响。方法利用电弧离子镀方法在基体上制备TiN薄膜,采用扫描电子显微镜观察TiN薄膜的表面形貌,利用ImageJ图像软件对TiN薄膜表面中Ti大颗粒的数目和尺寸进行分析。结果靶基间距保持25 cm,当基体表面与靶表面垂直放置时,薄膜表面的大颗粒数目和所占面积比比平行放置时要少,同时出现了典型的长条状大颗粒;随着沉积时间从5 min增加到50 min,大颗粒数目和所占面积比出现先减小后增加的趋势。结论选择基体表面与靶表面垂直放置,沉积时间为30~40 min时,薄膜的沉积厚度和减少大颗粒缺陷可以兼顾。     

辊涂镀膜玻璃外观缺陷产生原因及解决方法

介绍了光伏减反射玻璃辊涂镀膜过程常见的外观缺陷,从镀膜设备、镀膜工艺和镀膜液这几个方面分析了产生外观缺陷的原因,并提出了相应的解决方法。     

基于Fuzzy-PID的PZT微纳扫描控制算法

针对压电陶瓷的特性,提出了基于Fuzzy-PID的复合控制算法.该算法在整个过程中的不同阶段采用不同的控制方式,即根据误差信号e的大小有选择性的使用模糊控制或PID控制,因此不需要建立被控对象的精确数学模型,而且还继承了常规PID控制静差小、静态稳定性好的特点,同时又兼有模糊控制适应能力强、动态性能好的优势. 实验中采用此算法获得闭环控制电压最大误差为18 mV,置位重复精度为6 nm,系统相对误差0.15%;在位移量为10 μm的时间-位移阶跃响应曲线中阶越响应时间约为20 ms,且在电压为80 V的蠕动曲线中,3 min内的蠕变为3.6%,3 min以后变化开始缓慢.由此可知该控制方法能够有效地降低压电陶瓷非线性所引起的位移误差,提高定位精度,而且还能改善压电陶瓷的蠕动特性.