五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究

本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况.介绍了Ta2O5高K薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展.电学性能是今后研究应关注的主要方面.最后展望了其在MOSFET绝缘栅的研究前景.     

功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究

用磁过滤真空离子溅射系统，改变加在单晶Si(100)村底上的衬底偏压．制备不同sp2C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2．0～5．0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较简便的分析解谱方法，分析所测得的各个椭偏光谱．半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例。所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较．结果基本上是一致的。研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分的新方法。     

CdS量子点敏化TiO2纳米线束阵列太阳能电池的研究

采用水热合成技术,以盐酸、去离子水和酞酸丁酯为反应前驱物,在透明导电玻璃衬底(FTO)上生长TiO2纳米线束阵列,以化学浴沉积技术制备CdS量子点敏化TiO2纳米线束阵列光阳极。研究了CdS量子点敏化的循环周期对太阳能电池的光伏性能、单色光光子-电子转换效率、静态和动态光电流的特性的影响规律。结果表明:CdS量子点的大小和密度随着敏化循环周期的增加而增加,当敏化循环的周期为15次时,单色光光子-电子转换效率最高,电池的短路电流密度为0.61 mA/cm2,开路电压为0.65 V,填充因子为0.50,光电转换效率为0.20%。通过强度调制的光电流谱分析,得到光生电子在光阳极中的扩散系数为3.2×10-6cm2/s,传输时间为2.1×10-2s。     

基于S3C2410和Qt/Embedded的数码相框设计

本文介绍了用ARM9系列处理芯片S3C2410、Linux操作系统和Qt/Embedded建立的平台设计的数码相框系统,其中重点介绍了硬件电路和用Qt/Embedded实现了时多种格式相片在640×480触摸LCD上以幻灯形式显示的关键部分软件.     

Ta2O5薄膜的结构和电学性能研究

采用紫外光诱导热丝CVD沉积技术制备Ta2O5薄膜和Al/Ta2O2/SiMOS电容。利用XRD，AFM测试分析方法研究了紫外光源功率对Ta2O5薄膜结构的影响；通过C-V和，I-V测试对Ta2O5薄膜的介电常数，击穿场强和漏电流等电学性能进行了研究，结果表明：紫外光源的功率越大，Ta2O5薄膜的结晶性越好，介电常数越大，最大值为29，但紫外光功率对击穿场强和漏电流没有明显改善。     

Er2O3高介电常数薄膜的结构和介电性能的研究

采用射频磁控反应溅射技术,在不同的Ar：O2条件下制备Er2O3薄膜,然后把样品分别在600、700和800℃退火60min,研究分析了Ar：O2比例和退火温度对样品的结构和介电性能的影响。结果表明：600℃以上退火处理后,Er203薄膜从非晶态转变为多晶,使薄膜的介电常数和击穿场强明显增加,漏电流密度减小,但不同的退火温度对这些性能的影响不大,退火温度的提高会在Si和Er2O3薄膜的界面形成类SiO2过渡层。但Ar：O2比对薄膜的结晶性能和介电性能影响不大,但工作气体中较少的Ar会导致在Si和Er2O3薄膜的界面形成类Si02过渡层。