采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件

对AlGaN/GaN HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在-3V左右时,源漏间电流为几十nA.肖特基势垒的反向漏电流在-10V下约为几百nA.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于700℃.     

料仓预上料数学规律研究及应用

文章介绍了一种通过雷达物位计测量料仓内物料高度来估算此刻最多可补充料量的方法.该方法已应用在鞍钢集团炼钢厂皮带无人化项目中.高位料仓承担着为转炉炼钢补充原料的任务,要保证供应充足,能耗低,并最终实现无人值守式上料.其中,料仓补充料量估计成为核心问题,文章详细介绍了曲线拟合法、体积公式法两种估算方法,并通过对比实验证明曲...     

8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制

报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%.     

基于RANSAC的激光三角法中厚板板形测量技术研究

中厚板生产流程中,为了在切割时有效避开表面不平整区域,提出一种基于RANSAC(随机抽样一致性)算法的激光三角法中厚板板形测量技术,测量板形的外轮廓长宽尺寸及表面平整度。采用基于RANSAC算法的曲线拟合方法提取激光光斑中心线,并对比了质心法、最小二乘法、RANSAC算法这三种方法的抗噪声能力。实验结果表明,基于RANSAC算法的测量方法是一种较好的板形检测方法,具有较好的应用前景。     

郑州龙湖调蓄工程防渗技术及应用

郑州引黄灌溉龙湖调蓄工程位于黄河泛滥冲积平原,属于强透水型地层。为保证成湖工程的顺利实施,对龙湖成湖方案、垂直防渗方案、防渗墙材料及防渗墙配合比等关键环节进行深入细致的技术研究。采用一系列防渗技术研究成果实施的龙湖成湖工程施工顺利,防渗效果显著,达到了预期目的。     

用于GaN HEMT肖特基参数提取的修正方法

对GaN高电子迁移率器件进行48小时350℃的高温存储实验后,观察到肖特基正向特性的低压段出现凹进现象。我们认为这是二维电子气浓度下降造成的。此时传统的肖特基提取方法不适合,在运用背对背肖特基模型分析其能带变化的基础上提出一种肖特基参数提取的修正方法,并获得很好的拟合效果。     

AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法。最后,对器件的未来发展进行了展望。     

新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT

设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为5 0 0 m A/ mm ,跨导为2 75 m S/ m m,阈值电压为- 1 .4 V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V .研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V.     

8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制

报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%.