浅谈郑州市雨水资源利用

1郑州市雨水资源利用的目的和意义我国是世界上最为贫水的国家之一,人均占有水量为世界的1/4,郑州市的人均水资源占有量仅为220m~3,占全国人均水资源量的1/10。做为中原城市群的“龙头”,水资源不足成了郑州市经济发展的“瓶颈”。与此不相谐调的是,随着城市化进程的加快,不透水面积不断扩大,径流系数增大,径流量增加,大量雨水资源白白流走,不仅加重排水管网的负荷,发生内涝灾害,同时也造成水资源的无形浪费。因此,如何利用丰富的雨水     

具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制

研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω·cm2的欧姆接触率,并在此基础上对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论.通过器件工艺的优化,研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT器件.栅宽40μm的器件跨导达到250mS/mm,fT达到70GHz;栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5V),Vds=30V时,8GHz工作频率下(在片测试)器件的输出功率为32.5dBm(1.6W),输出功率密度达到2.14W/mm,功率增益为12.7dB.     

凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N窄位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低.介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃,Nz氛围退火10min.退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.     

郑州龙湖调蓄工程防渗技术及应用

郑州引黄灌溉龙湖调蓄工程位于黄河泛滥冲积平原,属于强透水型地层。为保证成湖工程的顺利实施,对龙湖成湖方案、垂直防渗方案、防渗墙材料及防渗墙配合比等关键环节进行深入细致的技术研究。采用一系列防渗技术研究成果实施的龙湖成湖工程施工顺利,防渗效果显著,达到了预期目的。     

基于关键字之间结构关系的XML查询结果排序方法

非空结果的XML关键字查询中,多个查询关键字之间必然存在联系,这种联系可以通过SLCA(最紧致片段)的结构关系获得.基于SLCA的结构关系,提出了一种推测多个关键字内在联系的XML关键字查询结果排序方法:通过LISA Ⅱ 算法获得SLCA;根据SLCA的结构信息推测出各个关键字之间的内在结构关系,得到所有关键字组成的关系树;然后根据关系树中各关键字对查询结点的严格程度得到对应SLCA的重要程度,据此得到有序的SLCA并输出.该方法利用了XML文档的结构信息对查询结果进行排序.实验结果和分析表明,提出的方法具有较高的准确率,能够较好地满足当前用户的需求和偏好.     

最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz...     

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计

研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.     

劳动合同法实施语境下的政府作为

政府既是劳动关系的管理者,又是劳动关系的服务者和参与者。政府在行政执法活动中应当优先保障劳动者合法权益,在正确区分法律规避与法律违反的前提下保护用人单位合法权益;政府应当细化劳务派遣规定、规制格式条款。顺应管理型政府向服务型政府的转变,政府应当依法服务劳资双方。作为劳动关系的参加者,政府应当模范地遵守劳动合同法。     

农产品中农药残留的检测技术应用及分析

本文主要对农产品中农药残留检测技术的应用进行分析,包括色谱法、色谱-质谱联用技术、毛细管电泳法、免疫分析技术、生物传感器技术、活体生物检测技术以及酶抑制法等。     

8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制

报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%.