掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外，通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。     

战斧巡航导弹用作遥控飞行器

叙述了战斧巡航导弹用作遥控飞行器情况：战斧ＲＰＶ的发射，回收和再次飞行准备。介绍了战斧ＲＰＶ可完成的电子战，侦察和投放子弹药任务。     

AGM-88A高速反雷达导弹(HARM)

本文概述了HARM导弹的研制过程,给出了该导弹的技术性能、研制与采购经费以及各种试验方法;介绍了作战使用方法和改进情况,对B型的产量和C型的竞争情况进行了预测。     

应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.     

立足基础面向学科构建电路理论课程的立体化教学体系

本文详细介绍了教育部2002年启动教学质量工程以来,我校电路理论课程的教学改革建设的成效,包括电路理论课程的立体化教学体系的建立、相关课程的立体化教材的建设、实验实践教学的强化、教学方法的改进和具体的实践效果。     

离子交换法制作掺钕玻璃光波导实验研究

用Ag 离子交换法在掺钕磷酸盐玻璃上制作了光波导.介绍了离子交换的实验过程,并用棱镜耦合法对交换后的基片进行了测试,得到了1到4个模式的平板波导.然后分析了温度、Ag 浓度和交换时间对实验结果的影响,探讨了制作单模和多模波导的工艺条件.最后分析了环境等因素对实验造成的影响,并提出了相应的改善措施,取得了良好的实验效果.     

MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法

针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150μm的密排二维换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下电极和支撑层组成的多层膜结构,并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收。制备样品的测试结果表明,采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列,具有阵元间距小、工艺流程可靠、成品率高、一致性好、工作频率(2.45MHz)与设计值(2.5MHz)的吻合度高等优点,适用于医学成像等高频超声成像系统。     

硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6°.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.