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11.
设计了一款用于射频接收系统的低功耗高线性高灵敏度斜率鉴频器,电路采用65 nm CMOS工艺,与传统的基于单带通滤波器的结构相比,双带通滤波器的结构有效提高了鉴频器的解调线性度;引入单端中频放大器降低了减法器失调电压对鉴频灵敏度的影响.仿真结果表明,所设计的基于双带通滤波器结构的鉴频器在1 V供电电压下,功耗为1 mW...  相似文献   
12.
提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中,基于更为合理 的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压;通过深入研究VDMOS 内部的物理特性,给出了一个关于漂移区电场的微分方程,并在整个漂移区都用解 析方法求解了该微分方程,由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明, 该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高,具有较高的 计算精度,特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下,其计算精度有较大程度的提高。  相似文献   
13.
借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界条件。在研究过程中发现,VDMOS漂移区垂直方向上的电场最大值出现的位置基本固定不变,它不随着栅极电压、漂移区掺杂浓度和栅氧厚度的变化而变化,而是随着漏电压的变化而变化,这主要是由于漂移区内B区域横截面积和电子速度都在随着栅极电压的增大而增大造成的。此结论不仅为文中准饱和模型的创建提供了一种简便的方法,而且对以往模型的简化和改进提供了理论依据。  相似文献   
14.
在Yeong-seukKim等人模型[1]的基础之上,提出了一种改进的VDMOS静态物理模型。该模型特别考虑了VDMOS器件中漂移区载流子的密度分布,并且近似得到了漂移区中泊松方程的解析解。器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了改进静态物理模型的计算精度,与Yeong-seukKim等人的模型相比,改进模型的计算精度有较大的提高。  相似文献   
15.
《集成电路版图设计》课程对微电子专业学生理解电路设计的概念和工艺技术的认识,起到承前启后的作用,对此课程教学方法的研究有着重要的理论和现实意义。  相似文献   
16.
通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型。在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定精度的前提下,简化了模型计算过程。特别是,根据Saber软件建模要求,将其改造成为适用于Saber的一个LDMOS模型,该模型能够嵌入到Saber进行电路仿真。  相似文献   
17.
郝志燕  鲍嘉明 《电源技术》2012,36(12):1896-1898,1933
设计了一款用于32寸液晶电视的150 W超薄高效电源,提供三路输出,分别给待机电源提供5 V电压,音响提供12 V电压和LCD液晶屏提供24 V电压。在半桥LLC串联谐振转换器中,传统的同步整流技术采用的是整流二极管,通过采用整流MOSFET来减小输出的损耗,从而提高了电源效率。通过采用卧式骨架和细长型电解电容,使整个电源的厚度仅为13 mm,长和宽都为15 cm。  相似文献   
18.
随着工艺特征尺寸的缩小,射频集成电路承受的静电放电(ESD)问题日趋变得复杂.保护电路与被保护核心电路的相互影响,已经成为制约射频集成电路发展的一个障碍.本文主要研究CMOS工艺下,ESD保护电路与被保护核心电路之间的相互影响的作用机理,提出研究思路,并对射频集成电路ESD保护电路的通用器件作出评价.1.引言随着半导体...  相似文献   
19.
分析了带同步整流开关的降压型DC-DC电源管理芯片,介绍了衬底噪声中闩锁效应的产生机理,提出加入死区时间控制同步整流开关信号的方法来避免闩锁效应,但是,死区时间设置不合理会产生功率损耗.以频率为1 MHz、输出电压为2.5V、最大输出电流为2A的降压型DC-DC电源管理芯片为例,对其进行仿真.结果表明,死区时间的长短会影响功率管的开关损耗,负载的大小也会影响合适的死区时间.  相似文献   
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