电子元器件相变冷却的数值传热研究

随着电子元器件功率的增大,冷却设计对保证电子元器件正常工作起着非常重要的作用.采用相变冷却技术,即将相变材料引入热沉,研究相变材料-热沉系统在凝固过程中的传热规律.研究结果发现,该系统在有翅片的情况下,凝固过程进行得很迅速,即翅片对凝固过程的传热强化作用非常明显;而且自然对流对此系统凝固过程的影响很大;另外,对不同温度下,相变在热沉内的凝固过程进行了研究,发现外部温度越低,凝固时间越短,在不同的温差下,液态相变材料在热沉内部自然对流的情况也有差异.     

多相滤波的数字相干检波原理及FPGA实现

多相滤波是实现数字下变频及数字相干检波的关键技术,是雷达、声纳和通信等系统中为数字信号处理提供高质量的正交信号的有效手段。文中讨论了多相滤波的基本原理,给出了采用多相滤波的方法对中频带限信号处理的仿真分析,并结合一款脉冲压缩雷达中频数字化接收机的实现方案进行工程验证,结果表明,在技术指标上可有效克服正交通道不一致问题,具有较高的应用价值。     

KGD技术发展与挑战

军用和民用电子系统中模块化和小型化发展的迫切需求使裸芯片在国内有着广泛的用途和市场，尤其是在军用HIC和MCM应用领域，裸芯片质量和可靠性保证一直是人们关注的热点，本文论述了国外KGD技术发展现状，以及国内发展KGD技术面临的机遇与挑战，论述了已知良好芯片（KGD）保证的主要技术要求，重点介绍了KGD夹具技术和工艺流程，为国内KGD技术的发展提供了技术指导。     

"假想层"在Needlee法膜系设计中的应用

Needle法是一种强大的膜系设计方法,它的突出特点是不依赖于初始膜系的给定,几乎对各种膜系设计目标都能给出比较令人满意的设计结果。但它的物理模型不够清楚,很难从直观上理解。通过在Needle法的推导过程中引入“假想层”的概念,使Needle法的整个推导过程清楚明了、容易理解,改进后的Needle法依然保持了它原来的各种优点。最后用两个设计实例说明了这种改进的有效性。     

GaAs PHEMT器件的失效模式及机理

归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移.     

混合式教学在《信息论与编码理论》课程的探索与实践

信息论与编码理论是信息工程和通信工程专业的一门重要的专业基础课。本文在学情分析的基础上,从教学内容、教学方法和教学手段等方面,给出了混合式教学的实践方案与实践效果。该实施方案锻炼了学生的批判性思维和创新性思维,增强了学生分析问题和解决问题的能力。开放式实验锻炼了学生的实际操作能力,培养了学生独立、自主学习的能力。进阶式章节测试鼓励小翻转课堂等方式,实施了个性化、差异化教学。通过固守课程精髓,重要定理推导采用板书方式,促使学生与老师在课堂上一起思考,锻炼了学生利用数学工具解决工程问题的能力。通过多元化考核机制,激励了学生马拉松式的学习过程。     

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

贮存可靠性是元器件可靠性研究的重要方面.阐述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析.     

砾岩油藏弱凝胶调驱的注入参数优选

克拉玛依油田砾岩油藏众多,该类油藏具有特殊的孔隙结构,对弱凝胶调驱技术提出了新的要求,尤其对注入参数优选方面的研究很少。针对七中区克上组砾岩油藏条件,通过物理模拟实验和数值模拟技术相结合,研究了弱凝胶的主剂浓度、段塞尺寸、注入量、段塞组合方式等对采收率的影响规律,并优选出实现较高采收率时的最佳参数,即主剂浓度为1100mg/L,段塞尺寸为0.30倍孔隙体积,注入量为400mg/L·PV,段塞组合方式应采用高浓度前置段塞、高浓度主体段塞和低浓度后续段塞。     

Tapis油田IOR及EOR技术的应用

Tapis油田位于马来西亚半岛滨海,地质构造是东西向的背斜.应用的IOR措施主要包括三维地震技术、油藏模拟技术、井网加密技术,EOR措施主要包括混相及非混相气驱、水气交替注入.由于广泛的生物扰动作用引起的油藏性质复杂性、断层引起的结构复杂性以及开采引起的流体接触的不确定性,Tapis油田已经成功应用的IOR技术和正处于研究初期的EOR技术不仅有助于本油田的开发,而且对于类似油田的开发具有重大的借鉴意义.文中介绍了Tapis油田开发过程中IOR及EOR技术的应用状况.     

钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响

用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率（C-f)和高频电容—电压（C-V）的方法,研究了钝化层—半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅—漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅—漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。