纳米FinFET鳍型优化

FinFET作为22nm以下节点最有发展潜力的器件结构,受到广泛关注。不同于传统研究多定性探讨FinFET尺寸变化对其性能的关系,文中定量分析了亚10nm尺度下鳍形状对器件性能参数的影响,通过对阈值电压、开关电流比、泄漏电流等基本参数的综合考虑,给出了鳍形状的优化设计。在此基础上,优化沟道掺杂浓度,平衡了阈值电压与开关电流比,使器件具有了优秀的性能,适用于数字电路的设计应用。     

GNRFET双极特性及工作区域研究

石墨烯器件作为下一代纳米电子器件的有力竞争者受到广泛关注,但对其器件工作机理的研究尚不透彻。对石墨烯纳米带场效应晶体管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)的双极特性进行了研究,分析了偏置电压对GNRFET转移特性和输出特性的影响,发现除已被关注到的栅电压外,源漏电压对GNRFET的双极特性亦有作用,并将两者综合考虑才能全面反映GNRFET的工作状态。在此基础上,进一步提出了工作区域的概念,将GNR-FET的工作区域划分为空穴导电区、电子导电区、转变区和截止区,为GNRFET器件的应用和电路设计提供指导。     

一种0.13 μm CMOS K波段LNA

基于0.13 μm CMOS工艺,设计了一种工作于K波段的低噪声放大器。输入匹配采用一种改良π型匹配网络,输出匹配采用L+π型匹配网络,避免了电容击穿的风险和源端大电感的引入。电路使用级间L型匹配的方式,利用第一级电路的输出寄生电容和第二级电路的输入寄生电容,有效地提高了电路的增益,降低了噪声。仿真结果表明,该低噪声放大电路为单电源1.5 V供电,在27 GHz频率处的增益为27 dB,噪声系数为3.75 dB,输入回波损耗和输出回波损耗分别为－11.1 dB和－20.5 dB。     

对"间接耦合光探测器分析"的讨论

文章针对“间接耦合光探测器分析”[1] 一文对间接耦合光探测概念的几点误解,进一步阐明了文献[2 ,3] 中A′的物理意义,并对注入分配比和间接耦合的灵敏度等概念进行了再讨论。     

内调制光敏管的可靠性分析和设计

介绍了内调制光敏管的可靠性试验及其失效模式和失效机理的分析。寿命试验结果表明内调制光敏管的平均寿命超过19496小时。     

一种基于 ６５ ｎｍ ＣＭＯＳ 工艺的 ７７ ＧＨｚ 宽带功率放大器

本文采用65 nm CMOS工艺设计了一款基于四路功率合成的77 GHz （E波段）功率放大器。采用电容中和技术抵消密勒电容的负面效应;利用功率合成技术解决MOS管低击穿电压引起的低输出电压摆幅的问题,将多路输出功率高效合成以实现高功率输出。采用共轭匹配和多频点叠加的带宽拓展技术,有效实现电路阻抗匹配和带宽拓展。后仿真结果表明,在79 GHz处,该功率放大器的最大增益为20.5 dB,-3dB带宽为64～86 GHz,输出功率1dB压缩点为12.7 dBm,饱和输出功率16.6 dBm,峰值功率附加效率为16.5%。该功率放大器版图面积为0.29 mm2;在1.2 V供电电压下,功耗为211 mW。     

一种基于130 nm CMOS工艺的K波段混频器

基于130 nm CMOS工艺,设计了工作于K波段的双平衡下变频混频器。在传统吉尔伯特单元基础上采用电流复用注入结构,减小了开关级的偏置电流,提升了开关性能。在开关级源端引入谐振电感,消除了开关共源节点处的寄生电容,抑制了射频信号的泄露,提高了增益,减小了噪声。仿真结果表明,输入射频信号为24 GHz,本振信号为24.5 GHz,本振输入功率为-3 dBm时,该混频器的转换增益为25.8 dB,单边带噪声系数为6.4 dB,输入3阶互调截点为-8.6 dBm。     

基于SiGe BiCMOS工艺的25Gbit/s跨阻放大器设计

采用0.25 μm SiGe双极CMOS (BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA).在寄生电容为65fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块.相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性.电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声.仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBQ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW.