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61.
本文提出了一种用于CAM系统的最小公倍数法,以及用该方法研制的多种进制增量式圆光栅CAM刻划系统.应用该方法有效地解决了多种进制增量式圆光栅和多种进制指示光栅的刻划难题,实现了在一种进制的光电图刻线机上刻划多种进制圆光栅。另外,详细介绍了其实现方法,以及用于该CAM系统的硬件和软件.  相似文献   
62.
利用压电片的正逆压电效应。提出了一种基于分时结构的自感知作动器,将压电片作为传感器和作动器的功能在时间上进行分离,以实现用同一压电片在作动与传感之间的功能切换,并探讨了其用于主动控制的可行性。对一悬臂梁的振动主动控制研究表明该自感知作动器在实际上是可行的。  相似文献   
63.
一、前言计量圆光栅是一种角度基准元件,多数都是在对径读取莫尔信号的情况下使用。对径读数的优点很多,它的良好的消差效果前人早有探讨。以Graham为典型代表,普遍的看法是:对径读数可以完全消除圆光栅分度误差中的奇次误差谐量的影响。因此,也消除了偏心误差。事实上,这一结论是在忽略了圆光栅不均匀性的影响后得到的,同实际情况并不相符。二、精度特性的分析本文将在不存在其它误差的理想情况下着重讨论偏心等奇次误差谐量对精度的影响。圆光栅不存在误差时,读数头输出的标准莫尔信号的一般表达式为:  相似文献   
64.
将独立模态控制与耦合模态控制相结合并应用于压电智能梁的振动主动控制中,利用两者的优点使控制更加有效、稳定,可实现在一个控制过程中实时跟踪主要被控模态的变化从而对其实施独立模态控制以达到有效地抑制结构的主要振动,而对其他模态则实行耦合模态控制。这样,可使控制系统的稳定性提高、减少作动器/传感器的数量、降低控制能耗,并能在不同的激励下达到最佳的控制效果。压电智能梁的数字仿真的结果表明了这一方法的可行性与有效性,并与相应的独立模态和耦合模态控制下的结果进行了比较。  相似文献   
65.
利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题,获得了淀积弱张应力的多晶硅膜的最佳工艺条件,研制出多晶硅微机械开关.初步测试出其开关的开启电压为89V,开关速度为5μs,这为研制用于雷达和通讯的全单片集成的RF MEMS开关系统打下了基础.  相似文献   
66.
光栅平动式光调制器机械特性分析与仿真   总被引:4,自引:2,他引:2  
光栅平动式光调制器是基于MOEMS技术的新型光调制器,利用静电力驱动可动光栅对入射光进行调制,因其具有高速开关特性与面阵化等特点使其在显示与打印方面有广阔的应用前景.但是其结构相对复杂,本文通过建立光栅平动式光调制器的机电模型,并依据力学理论及虚功原理对器件的机械特性进行了相应的分析,得出器件的载荷挠度特性.并利用CoventorWare软件进行相应的有限元仿真分析.仿真表明,在工作距离范围内,理论数据与仿真数据具有很好的拟合度,其平均误差在5%左右.  相似文献   
67.
光纤法珀应变传感器系统的实验研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
讨论了光纤法珀应变传感器的基本原理及其传感系统构成 ,分析了它在实际工程应用中的特点 ,介绍了该系统的等强度梁标定实验及结果 ,并重点介绍了在芜湖长江大桥连续钢桁梁模型实验的测试中、该系统与电阻应变测量仪的对比实验 ,结果表明 ,光纤法珀应变传感器系统的测量精度优于 3 με、测量范围大于 60 0 με ,安装工艺与电阻应变片相同 ,但测量仪使用时不需调零  相似文献   
68.
光栅光调制器阵列交叉效应的理论分析与实验   总被引:1,自引:0,他引:1  
光栅光调制器是一种基于微机电系统的用于投影显示的器件。为了讨论交叉效应对无源矩阵驱动的光栅光调制器的影响,介绍了光栅光调制器的工作原理,建立了无源矩阵驱动阵列的电学模型。利用基尔霍夫的电流定理和电压定理,对无源矩阵驱动阵列的电学模型进行化简分析,得到交叉效应中半选点像素、非选点像素与全选点像素之间的电压关系。分析表明:交叉效应对半选点像素影响较大,且随着器件阵列的增大,交叉效应更加严重。通过实验得到这三种像素的±1级衍射光强与全选点像素驱动电压的关系。实验结果表明:对于加工的16×16阵列,半选点像素电压约为全选点像素电压的1/2,且远大于非选点像素电压,与交叉效应理论分析相一致。交叉效应会降低阵列的光学对比度。最后,提出抑制交叉效应的两种方法。分析表明:有源矩阵驱动是抑制阵列交叉效应的最佳方法。  相似文献   
69.
建立了通过测量PVDF压电薄膜敏感元件的应变而得到振动参数的理论模型和PVDF压电薄膜敏感元件的等效模型与传感方程,介绍了测量信号处理系统的单元结构,给出了用PVCDF输出估计模坐标与位移响应的方法,同时介绍了VDF与振动-位移测量仪的实验结果的比较。  相似文献   
70.
磁流变阻尼器磁路设计及磁饱和有限元分析   总被引:11,自引:0,他引:11  
针对磁流变阻尼器的典型磁路结构,阐述了磁流变阻尼器的磁路设计原理,并针对实例进行了设计计算,提出了避免设计中遇到的磁饱和现象的方法。利用ANSYS软件进行了有限元分析,表明了有限元方法在磁流变阻尼器磁路设计中的应用价值。  相似文献   
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