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21.
研究了浸渍和未浸渍树脂碳毡硅化处理后的显微组织。结果表明:未浸渍树脂碳毡硅化处理后显微组织为反应生成的细小碳化硅颗粒均匀分布在游离硅中;而浸渍树脂碳毡硅化处理后反应生成的碳化硅颗粒粒径大小不一,且分布不均匀。碳毡硅化得到Si-SiC复相陶瓷的主晶相为α-SiC、β-SiC和游离Si,不同晶型SiC的出现与试样烧结过程中Si/C反应的放热过程有关。  相似文献   
22.
研究了Ni含量、机械合金化工艺参数对Fe-Ni机械合金化过程中马氏体相变的影响及其机理.结果表明:在Fe-Ni机械合金化过程中存在着马氏体相变,但继续机械合金化马氏体是否会发生逆转变主要由Ni含量决定.当Ni≤30%(质量分数,下同)时,机械合金化引起的材料局部温度未达到形变促使马氏体相变逆转变开始温度,因此继续机械合金化马氏体不转变.对于Fe-35Ni,形变促使逆转变的开始温度低于局部温升,马氏体将向奥氏体转变.当Ni含量为35%时,随着机械合金化时间的延长、球磨速度和球料比的提高,机械合金化可以提供的相变驱动力增大导致奥氏体的量逐渐增多.  相似文献   
23.
聚乙烯醇缩丁醛溶液组分对Al2O3流延成型的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
涂从红  吴黎  朱丽慧  黄清伟 《硅酸盐通报》2011,30(3):625-628,651
研究了Al2O3流延浆料中聚乙烯醇缩丁醛(PVB)的溶解性、成膜性及其对氧化铝粉体的分散作用.实验结果表明,PVB溶解于二元混合溶剂乙醇/二甲苯,当乙醇含量为60%时,粘度最低,溶解性最佳;PVB用作分散剂,当用量为0.5%,剪切速率为50 s-1时,系统粘度从868 mPa·s降到17 mpa·s;PVB用作粘结剂,...  相似文献   
24.
高性能铌镁酸铅-钛酸铅定向压电陶瓷的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg1/3Nb2/3)O3—0.30PbTiO3高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35%,准静态压电常数d33约为1500~1600pC/N,耦合系数κt~0.51,κ33~0.82,22kV/cm时的场致应变约为0.23%。  相似文献   
25.
晶种加入对α-SiAlON显微结构与性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用无压烧结和酸洗的方法制备了α-SiAlON单晶颗粒,并将这些单晶颗粒作为晶种加入到YSm-α-SiAlON原始组份中,研究了陶瓷显微结构与性能的变化。结果表明,未加入晶种的YSm-α-SiAlON陶瓷主要由细小晶粒和少量粗面晶粒组成,而晶种加入后,陶瓷中出现了柱状晶粒;柱状晶粒的尺寸与数量可由晶种的数量和尺寸控制,晶种加入导致YSm-α-SiAlON陶瓷韧性升高,韧性升高的原因与柱状晶粒的拔出与桥接有关。  相似文献   
26.
研究了司班-85、三乙醇胺和大豆卵磷脂三种不同分散剂对玻璃粉分散性能的影响。通过黏度实验比较了三者对玻璃粉的降黏效果。发现在剪切速率68.1 s–1下,司班-85、三乙醇胺和大豆卵磷脂的最佳加入量分别为质量分数2.5%,1.0%和0.5%,此时分散后的玻璃粉由初始黏度2.23 Pa.s分别下降到了0.98,1.51和0.13 Pa.s;沉降实验表明,大豆卵磷脂稳定性最好,司班-85次之,而三乙醇胺最差;光学显微镜观察结果进一步表明大豆卵磷脂分散玻璃粉效果最佳。  相似文献   
27.
片状氧化铝粉体材料由于其独特的结构和优异的性能被广泛应用到颜料、化妆品、汽车漆料、耐火材料、增韧陶瓷等各个领域。综述了片状氧化铝的各种制备方法和国内外研究进展,并对其制备方法的优缺点进行了评价,阐述了片状氧化铝的形成机理及应用领域。  相似文献   
28.
反应烧结碳化硅陶瓷的高温氧化行为研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了反应烧结碳化硅陶瓷在1300℃空气中的高温氧化行为。结果表明:高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态SiO2晶化以及氧化膜起裂,使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。  相似文献   
29.
朱丽慧  黄清伟 《耐火材料》2001,35(4):202-204
通过对比不同温差热震后材料的残余强度 ,对反应烧结碳化硅材料的抗热震性能进行了研究。结果表明 :反应烧结碳化硅材料的抗热震性能与显微组织密切相关 ,低游离硅含量与小粒径的反应烧结碳化硅材料具有较好的抗热震断裂性能 ,而高游离硅含量或大碳化硅粒径的材料具有相对优异的抗热震损伤性。对反应烧结碳化硅材料的抗热震性与显微组织的关系进行了探讨。  相似文献   
30.
研究了(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(简称PMN—PT或PMNT)系铁电固溶体在坩埚下降法定向凝固过程中的结晶与晶粒生长习性.结果表明,随着坩埚下降速度的加快和PbTiO3含量的降低,陶瓷晶粒的择优生长方向由[111]逐渐向[110]转变.  相似文献   
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