Ni丝的自电热升华镀膜及其机理研究

讨论了Ni丝自电热升华镀Ni的机理,测定了Φ0.5mmNi丝的升华速率α_V(I′),并讨论了Ni丝镀膜的控制工艺;最后测定了Ni丝的自电热电阻R(I′)和小电流下的变温电阻R(T)。     

液相外延生长中的过冷成核

本文引入熵假设对液体非平衡相变的微观涨落进行研究,导出了液-固相变的平衡态与非平衡态临界过冷度的关系,从而讨论了液-固非平衡相变的界面稳定性和液相外延生长的过冷成核。     

一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用

本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理，给出并解释了InGaAs／GaAs单量子阱，AlGaAs／GaAsHBT等材料的微分反射谱．为了比较起见，文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱．     

液相外延生长中的输运过程

本文用谐振子模型描述液体的微观输运过程,导出了矢量输运系数与分子运动参量的关系,从而得到扩散系数随温度和组分变化的近似表达式,最后讨论液相外延生长的输运描述。     

δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱

本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收峰以及ＧａＡｓ本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论．     

液相外延生长的理论计算

本文用单向扩散流导出了离解系数和分子扩散速度的参量表达,用界面竞争分凝模型导出了平衡分凝系数和界面分凝系数与绝对分凝系数的关系;用扩散分凝控制模型讨论了具有赝二元结构的三元系的液相外延生长,得到了过冷生长的有效分凝系数、生长速度和生长厚度的表达式,从而得出根式冷却具有均匀的生长速度。     

GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究

从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究

测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。     

关于固态再结晶生长(Hg,Cd)Te材料时淬火问题的探讨

本文用非平衡理论对(Hg,Cd)Te熔体在淬火时的临界过冷度和界面分凝系数进行了定量计算,并讨论了几种淬火条件下熔体的相变过程,从而得出用温度梯度控制淬火,可得到组分都均匀和热缺陷较少的CMT材料。