钒钛磁铁矿烧结过程NO_X控制技术研究

利用烧结杯实验装置研究了不同烧结工艺参数对钒钛磁铁矿烧结烟气NO_X生成及烧结主要技术经济指标的影响。结果表明:随着混合料碱度、水分、料层厚度及燃料配比的降低,烟气中NO_X排放浓度呈现降低的趋势;同时上述参数的改变未对烧结速度、利用系数、烧结成品率和转鼓强度等烧结主要技术经济指标产生显著的影响。     

沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响

采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜的载流子浓度增大、载流子迁移率增大、电阻率减小;沉积温度为350℃时,薄膜的最低电阻率为6.9×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.15×1020cm-3,迁移率为45 cm2V-1s-1。在可见及近红外区,IMO薄膜的平均透过率大于80%以上。在近红外区,薄膜透过率随沉积温度的升高而增大;在中红外区,由于载流子的吸收,薄膜透过率迅速下降。     

ZnS上HfON保护膜及增透膜系的制备和性能研究

用氮氧化铪薄膜作为CVDZnS衬底的保护膜、由YbF3和ZnS组成的增透膜系分别在CVDZnS的两面制备了保护膜和增透膜,研究了镀膜前后CVDZnS在8~12 μm波段的光学性能,单面镀制增透膜之后CVDZnS在此波段的平均透过率由未镀膜前的74%提高到了82%,峰值透过率大于83.5%。在CVDZnS上镀制HfON保护膜后,其8~12 μm波段透过率没有明显的降低,同时硬度测试表明HfON薄膜的硬度约为11.6 GPa,远大于衬底CVDZnS的硬度。胶带实验和泡水试验表明,制备的保护膜和增透膜均和衬底有     

6英寸砷化镓单晶VGF法生长中坩埚-埚托间隙对晶体生长过程影响

在VGF法生长6英寸GaAs单晶的实际生长过程中,坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合.坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长过程中的温场和固液界面形状影响较大.通过模拟计算5种不同的空隙形状时的温场与热应力分布,发现随着空隙面积的增大,固液界面在轴向上的位置逐渐下降.在锥形空隙情况下,得到一个平坦的固液界面.设计了两种不同的空隙填充方案,模拟计算的结果表明,液态Ga完全填充时,在晶体轴向上热应力的分布较为平缓,有利于生长低位错、高质量的GaAs单晶.     

CVD-ZnS胞状生长现象抑制方法

实验采用化学气相沉积方法制备硫化锌体材料（CVD-ZnS），并对材料中普遍出现的胞状生长现象进行了系统研究。通过微观结构表征及宏观形貌分析，发现胞状生长起始于大尺寸的晶体生长中心，其内部晶粒的生长方向发生了横向偏移，且生长速率大于正常晶粒，最终导致了产物表面的球状凸起，产物侧剖面表现出倒圆锥状生长形貌。同时，依据实验中所出现的不同胞状生长现象，探究了胞状物异常生长中心形成的主要原因。在此基础之上，设计了不同条件的沉积实验，探究了各类胞状生长现象的抑制方法，并在实际生产过程中得到了验证，从而实现了对该异常现象的有效抑制。     

GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响

用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化.     

攀钢烧结添加有机粘结剂的实验室研究

选择了２４种有机粘结剂作为烧结混合料制粒助剂。通过烧结杯试验，优选出的ＰＧ２型有机粘结剂能显著地改善混合料的透气性，提高烧结矿产量。对烧结无副作用。     

攀钢四高炉配加人造块矿工业试验

叙述了攀钢四高炉配加人造块矿的工业试验情况，分析了用中加粉人造块矿取代部分天然块矿后高炉操作变化、煤气流变化及对炉渣性能的影响。试验结果表明：高炉配加人造块矿是可行的，并具有一定的增铁节焦效果。     

攀钢1号高炉炉底沉积物特点分析

介绍了攀钢1号高炉第三代炉役的炉底沉积物变化特征及理化性能，分析了攀钢高炉强化冶炼后炉底沉积物的形成规律及耐火砖的侵蚀机理，对进一步认识钒钛矿高炉冶炼的炉底沉积物具有一定的指导意义。