超万瓦高功率GaAs红外激光窗口材料的研制

采用掺杂、合成、高压炉内一次直接完成拉晶的方法，结合铬、氧双掺的补偿掺杂新工艺和热处理工艺，稳定批量研制超万瓦ＧａＡｓ红外激光窗口材料。该材料具有吸收系数低、机械强度高、热破裂品质因素和光畸变品质因素高等特点，成功地应用于１２ｋＷ连续二氧化碳强激光器上连续输出８ｈ而不发生破裂。     

氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光电性能的影响

采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能.结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势.在可...     

二步法氧化焙烧工业绿矾工艺

为提高绿矾综合利用效率,实现节能环保生产,研究了二步法氧化焙烧工艺。第一步,对绿矾进行干燥脱水处理研究,通过对绿矾干燥脱水曲线及TG-DSC曲线的分析可知,绿矾前期干燥脱水的最佳温度为110℃,此时所得产物大部分为FeSO₄·7H₂O;第二步,在不同温度下通空气对第一步的干燥产物进行氧化焙烧,研究了焙烧温度对焙烧产物回收率、残硫量、Fe化合形态及烟气中硫分布的影响,结果在800~900℃、气流量120L/h、恒温时间90min的条件下,最终所得焙烧产物的残硫量为0.33%,总铁(TFe)在60%以上,可以作为炼铁原料配加进入烧结矿,且烟气中的硫得到了回收。     

太阳能热水系统在深圳某医院的应用

以深圳市宝安区沙井人民医院太阳能热水系统工程为例,阐述了太阳能热水系统的应用原理,并对运行成本、经济效益、环保效益进行了分析,该项目既节能又环保。     

SiO2/TiO2比值及辅料对钒钛烧结矿软熔滴落性能的影响

在实验室模拟攀钢现场条件,研究了提高ＳｉＯ２／ＴｉＯ２比值（增加富矿粉配比）和添加萤石,氧化锰,重晶石,硼泥等辅料对钒钛烧结矿软熔落性能的影响。结果表明,提高ＳｉＯ２／ＴｉＯ２比值和添加萤石,氧化锰、重晶石,硼泥等辅料均有利于改善钒钛烧结矿软熔滴落性能。     

ZnS上金刚石膜的过渡层设计和附着力研究

CVD ZnS 是中长波前视红外窗口和整流罩的合适材料,文中从折射率、热应力、透射波段和附着力等方面考虑,由实验设计出HfO2/ 非晶膜双层结构作为ZnS与金刚石保护膜间的过渡层,采用射频反应磁控溅射技术在ZnS表面制备过渡膜层,并采用划痕法研究了薄膜的显微结构对其与衬底间附着力的影响。结果表明,金刚石能够在HfO2/ 非晶膜过渡层上形核、生长,得到优质的保护膜,同时过渡层也缓解了金刚石膜与ZnS衬底间由于热膨胀系数的较大差异而引起的膜层脱落问题,单面沉积过渡层的ZnS在2～12 μm范围具有增透膜的作用。与AlN/非晶膜组成的过渡层相比,HfO2/非晶膜组成的过渡层具有更小的残余应力。在典型实验条件下,该过渡层与ZnS衬底附着性良好,研究发现薄膜的显微结构对附着力的大小有重要影响,形成细小致密的柱状纤维结构,有利于提高附着力。     

制备GaAs激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂

用氧化铬 (Cr2 O3)作补偿掺杂剂、LEC法生长的GaAs窗口晶体 ,容易满足高阻补偿条件 ,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制 ,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料。补偿掺杂剂氧化铬 (Cr2 O3)剂量为 99 9999%Ga和 99 9999%As量的优选范围是0 0 1%～ 0 0 4% (质量分数 )。室温下的自由载流子浓度低于 5× 10 6 cm- 3,对光吸收系数的贡献可以忽略。轻掺氧化铬高阻GaAs晶体具有良好的红外透射特性 ;10 6μm处激光量热法测量的红外光吸收系数约为 1 4× 10 - 3cm- 1 。     

燃料分加实验室烧结杯烧结试验研究

通过实验室试验，找出了适宜的燃料分加比例和燃料种类对烧结过程和烧结矿冶金性能的影响。试验证明，燃料二次分加能提高烧结生产率；改善烧结的低温还原粉化性能，为燃料二次分加工业性试验提供了依据。     

熔分深还原电炉炉衬侵蚀原因分析及提高炉龄措施

对熔分深还原电炉冶炼钒钛磁铁矿金属化球团过程中炉衬、出铁口及出渣口等部位耐火材料的侵蚀情况作了简要介绍,并对侵蚀原因进行了深入分析,认为高温、渣中氧化物对砖衬的化学侵蚀、渣铁的物理冲刷作用等是造成熔分深还原电炉耐火材料侵蚀严重的主要原因。针对熔分深还原电炉实际情况,提出了防止金属化球团氧化、控制冶炼温度、对炉衬进行热喷补是目前三种行之有效的提高熔分电炉炉龄的措施。     

光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数 ,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素。切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低 ,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次 ,机械抛光的断裂模数再其次 ,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高 ,其平均值约为 135MPa。光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降。