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31.
超万瓦高功率GaAs红外激光窗口材料的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用掺杂、合成、高压炉内一次直接完成拉晶的方法,结合铬、氧双掺的补偿掺杂新工艺和热处理工艺,稳定批量研制超万瓦GaAs红外激光窗口材料。该材料具有吸收系数低、机械强度高、热破裂品质因素和光畸变品质因素高等特点,成功地应用于12kW连续二氧化碳强激光器上连续输出8h而不发生破裂。 相似文献
32.
采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能.结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势.在可... 相似文献
33.
为提高绿矾综合利用效率,实现节能环保生产,研究了二步法氧化焙烧工艺。第一步,对绿矾进行干燥脱水处理研究,通过对绿矾干燥脱水曲线及TG-DSC曲线的分析可知,绿矾前期干燥脱水的最佳温度为110℃,此时所得产物大部分为FeSO4·7H2O;第二步,在不同温度下通空气对第一步的干燥产物进行氧化焙烧,研究了焙烧温度对焙烧产物回收率、残硫量、Fe化合形态及烟气中硫分布的影响,结果在800~900℃、气流量120L/h、恒温时间90min的条件下,最终所得焙烧产物的残硫量为0.33%,总铁(TFe)在60%以上,可以作为炼铁原料配加进入烧结矿,且烟气中的硫得到了回收。 相似文献
34.
35.
36.
CVD ZnS 是中长波前视红外窗口和整流罩的合适材料,文中从折射率、热应力、透射波段和附着力等方面考虑,由实验设计出HfO2/ 非晶膜双层结构作为ZnS与金刚石保护膜间的过渡层,采用射频反应磁控溅射技术在ZnS表面制备过渡膜层,并采用划痕法研究了薄膜的显微结构对其与衬底间附着力的影响。结果表明,金刚石能够在HfO2/ 非晶膜过渡层上形核、生长,得到优质的保护膜,同时过渡层也缓解了金刚石膜与ZnS衬底间由于热膨胀系数的较大差异而引起的膜层脱落问题,单面沉积过渡层的ZnS在2~12 μm范围具有增透膜的作用。与AlN/非晶膜组成的过渡层相比,HfO2/非晶膜组成的过渡层具有更小的残余应力。在典型实验条件下,该过渡层与ZnS衬底附着性良好,研究发现薄膜的显微结构对附着力的大小有重要影响,形成细小致密的柱状纤维结构,有利于提高附着力。 相似文献
37.
用氧化铬 (Cr2 O3)作补偿掺杂剂、LEC法生长的GaAs窗口晶体 ,容易满足高阻补偿条件 ,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制 ,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料。补偿掺杂剂氧化铬 (Cr2 O3)剂量为 99 9999%Ga和 99 9999%As量的优选范围是0 0 1%~ 0 0 4% (质量分数 )。室温下的自由载流子浓度低于 5× 10 6 cm- 3,对光吸收系数的贡献可以忽略。轻掺氧化铬高阻GaAs晶体具有良好的红外透射特性 ;10 6μm处激光量热法测量的红外光吸收系数约为 1 4× 10 - 3cm- 1 。 相似文献
38.
通过实验室试验,找出了适宜的燃料分加比例和燃料种类对烧结过程和烧结矿冶金性能的影响。试验证明,燃料二次分加能提高烧结生产率;改善烧结的低温还原粉化性能,为燃料二次分加工业性试验提供了依据。 相似文献
39.
40.