提高导线允许温度增加线路输送容量的研究及在500 kV线路上的应用

将钢芯铝绞线允许温度由现行规范规定的70℃提高到80℃,可提高线路输送容量23%～27%.研究证明,按允许温度80℃运行,导线强度和配套金具握力仍在允许范围内.经过大量计算,提出一般新建线路按50℃弧垂定位,已建线路按80℃弧垂校验以保证对地和交叉跨越的必要间距,以及确保耐张线夹引流等有效连接的措施,来保证提温增荷线路的安全运行.     

提高导线允许温度的可行性研究和工程实施

导线的允许温度由现行规范规定的 70℃提高到 80℃ ,可提高原有线路输送容量 2 0 % ,降低新建线路投资10 % ,具有显著的经济意义。国内外大量试验数据表明 :(1)导线允许温度提高到 80℃对线材强度无影响 ;(2 ) 80℃时的钢芯铝绞线强度基本上不低于计算拉断力 ;(3)导线温度 80℃时 ,金具温度不超过 6 7℃ ,金具电阻为等长导线电阻的 35 %～ 6 6 % ;金具温度在 80℃以下时 ,对握力没有影响。因此提高钢芯铝绞线 (LGJ或ACSR)导线允许温度到 80℃是可行的。导线允许温度从 70℃提高到 80℃ ,功率损耗和电能损耗增加甚微 ,一般档距增加弧垂 0 .5m左右 ,经论证和 5 0 0kV斗南、斗牌改造工程实践 ,证明采用 5 0℃定位、校验对地和交叉跨越距离是安全可靠的 。     

特高塔绝缘子串用招弧角的试验研究

招弧角保护性能验证性试验的结果表明,长度约为绝缘子串长75%的招弧角间隙能有效地保护绝缘子串。虽然招弧角的应用将降低线路的耐雷水平,但对特高塔而言,由于绝缘子串长的裕度很大,故对线路的跳闸率没有明显的影响。     

9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器

用分子束外延方法生长了ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０＾３Ｖ／Ｗ。     

BARC工艺在亚微米光刻中的应用

在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(BottomAnti-ReflectiveCoating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%～7%。     

9μmp~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光电红外探测器

用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．     

硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

研究了硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点自组织生长的影响.硼原子的数量由0单原子层变到0.3单原子层.原子力显微镜的观察表明,硼原子不仅对量子点的大小,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响.当硼原子的数量为0.2单原子层时,获得了底部直径为60±5nm,面密度为6×109cm-2,且均匀性很好的Ge量子点.另外,还简单讨论了硼原子对Ge量子点自组织生长影响的机制.     

SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱

在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确．     

量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响

在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层,高温退火形成量子点.我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点,而不是纯Ge量子点.     

新型Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器

用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体_(873k)~*)优于2×10~8cm·Hz~(1/2)/W,30K为6×10~8cmHz~(1/2)/W,对500K黑体,30K工作温度下D_(500k)~*为1.6×10~8cm·Hz~(1/2)/W。由于探测器为宽带型,虽然峰值D~*并不很高,但在30℃的环境辐射背景下,对人体温度的辐射也有较强烈的响应。