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微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。 相似文献
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利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,从光谱响应上表现为短波方向的响应下降,认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面,造成少子表面复合速度增加.对ZnS钝化的器件氢化处理后性能改善,表现为信号的提高和噪声的下降,从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高,从表面形貌观察发现ZnS的颜色略有变化,台阶仪测试表明氢化后ZnS的厚度减薄了约70nm,通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度从而提高了器件的性能. 相似文献
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莴笋是西藏昌都市露地栽培的主要蔬菜种类之一,近年来斑萎病发生普遍,发病率达到了80%以上,引起严重的经济损失,前期研究表明发病植株受到番茄斑萎病毒(TSWV)侵染。为明确该区域莴笋感染TSWV不同时期病毒粒体分布与亚细胞病变的特征,为病毒病的精准诊断与绿色防控提供依据,本研究采集了西藏昌都市卡若区莴笋不同发病时期的样品,应用TSWV-N基因序列设计引物,通过RT-PCR扩增克隆与测序分析,根据N基因序列推导N蛋白氨基酸序列比对,明确采集样品受到TSWV侵染。采集不同发病时期的样品进行负染色和超薄切片制样透射电子显微镜观察,发现早期感病叶片(症状为轻微褪绿)中病毒粒体相对含量较少,TSWV粒体分布于细胞质中,叶绿体噬锇颗粒明显增加,线粒体嵴膜部分降解,少部分细胞的液泡内有较多TSWV粒体聚集于细胞质内的囊泡中;中期感病叶片(褪绿或黄化斑)中,病毒粒体相对含量较高,较多TSWV粒体聚集于细胞质内质网池中,叶绿体膜系统降解,噬锇颗粒增加,线粒体增多;后期感病叶片(坏死斑)中,病毒粒体相对含量高,叶绿体、线粒体等细胞器降解,有大量TSWV病毒粒体聚集于残存的细胞质内囊泡中。TSWV粒体相对含量... 相似文献
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在简单说明中国公众多媒体通信网的基础上,从技术的角度详细地阐述了公众多媒体通信网的六大特点。对江西省多媒体通信网的建设作了一个初步介绍。 相似文献