某铁矿尾矿库酸性废水处理试验研究

介绍了使用两段中和法处理矿山酸性废水,即首先用矿物或废渣作中和剂将废水的pH值提高到4.0左右,再用石灰乳进行中和。在实验室研究的基础上,对某铁矿尾矿库酸性废水采用两段中和法进行工程试验。试验结果表明,滤料高度为60 cm,用5%的石灰乳作中和剂,石灰用量为0.5~0.8 kg/m3,絮凝剂投加量为2×10-6,出水pH值达到6~8,出水水质指标达到国家排放标准。两段中和法比一段法节省石灰用量,节约处理费用。     

旋转式水喷淋保护防火卷帘技术研究

研究开发了一种新的水冷却防火卷帘,即旋转式水喷淋保护防火卷帘。介绍了旋转式水喷淋喷头的组成,并从传热学的角度对该防火卷帘的传热过程进行分析,求出该防火卷帘的总布水强度0.25L/(s·m2),仅为普通防火卷帘两侧设自动喷水系统的1/4。该防火卷帘具有帘片成本低、降温效果好、布水强度小等优点。     

能量法对活塞销力信号的故障诊断

利用Pro/E软件建立单缸发动机参数化模型,导入ADAMS仿真分析不同工况且不同活塞销状态下工作情况,然后对数据进行了基于能量法的分析,得出活塞销故障诊断方法。能量值发生阶跃以及能量处于不稳定状态是活塞销的故障特征之一。     

柔性机构运动参数动态可靠性分析方法研究

研究目的是提出柔性机构运动参数动态可靠性分析方法,给出了柔性机构运动参数动态可靠性分析的广义模型.将驱动力（矩）、摩擦和阻尼力（矩）等作为随机变量,应用蒙特卡罗方法,取得动态参数样本,再利用人工神经网络方法,根据抽取的样本对网络进行训练,统计网络输出的动态参数分布,得到机构动态可靠度.空间站柔性展开机构动态可靠度计算实例表明该方法减少了计算时间.     

SOPC设计策略的研究

SOPC是当前IC设计发展的主流,开发和应用SOPC是当前IT产业发展的需要。介绍了SOPC技术发展关键要素、设计方法、设计集成平台、开发策略等内容,并给出了以SOPC为中心的设计实现方案,探讨了SOPC发展的必然趋势及广阔的应用前景,为采用NIOS处理器的嵌入式系统用户提供了一些建议。     

基于Java的B/S结构远程在线监测系统

采用Java编程语言,实现了B/S结构的机械设备远程在线监测和故障诊断系统。设计了系统的总体框架,并分析了实时数据在存储过程中的问题及几种解决方案,进而实现了多设备多通道、嵌入浏览器的远程在线监测和故障诊断系统。     

漫谈舞台机械的安全装置

舞台机械最重要的指标之一是安全可靠。概括性地介绍舞台机械安全运行须配置的安全保护装置,及它们的原理、功能、结构及安装位置。     

四川盆地陆相页岩油成藏地质特征与重大发现

四川盆地下侏罗统发育陆相湖盆页岩,烃源岩品质好、有机质丰度高、页岩油资源丰富,以往研究主要关注自流井组大安寨段,其他层位研究较少。通过分析侏罗系页岩沉积环境、有机质丰度、类型、成熟度等地球化学特征,以及页岩储集性能、储集空间类型等地质条件,明确了下侏罗统湖相页岩油的地质特征及资源潜力。结果表明：四川盆地发育自流井组东岳庙段、大安寨段和凉高山组3套湖相页岩,页岩TOC含量一般大于1.0%;有机质类型为Ⅱ₁—Ⅱ₂型,3套页岩均具有较好的生烃潜力;R_o值为1.00%～1.82%,热演化程度为中等偏高。页岩厚度大、分布面积广,页岩平均孔隙度为4%～9%,页理缝发育。东岳庙段为平缓的广盆静水沉积环境;大安寨段为侏罗系最大湖泛期沉积,表现为深盆深水环境;凉高山组为广盆浅水环境。页岩发育纯页岩型、页岩-碳酸盐岩互层型、页岩-砂岩互层型3种组合样式。通过对页岩油富集层段进行评价,明确纵向上划分5个甜点段,平面上划分稀油区、轻质油区和凝析油气区3个区带。特别是平安1井等的重大发现,证实了四川盆地侏罗系具备良好的页岩油勘探开发潜力。     

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ）,特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析     

The electrical properties of HfO/sub 2/ dielectric on germanium and the substrate doping effect

MOS devices built on various germanium substrates, with chemical vapor deposited (CVD) or physical vapor deposited (PVD) HfO/sub 2/ high-/spl kappa/ dielectric and TaN gate electrode, were fabricated. The electrical properties of these devices, including the capacitance equivalent thickness (CET), gate leakage current density (J/sub g/), slow trap density (D/sub st/), breakdown voltage (V/sub bd/), capacitance-voltage (C-V) frequency dispersion, and thermal stability, are investigated. The process conditions such as surface nitridation treatment, O/sub 2/ introduction in CVD process and postdeposition anneal temperature in PVD process, exhibit significant impacts on the devices' electrical properties. The devices built on germanium substrates with different dopant types and doping concentrations show remarkable variations in electrical characteristics, revealing the role of the substrate doping in the reactions occurring at the dielectric/Ge interface, which can significantly affect the interfacial layer formation and Ge updiffusion. A possible mechanism is suggested that two competing processes (oxide growth and desorption) take place at the interface, which govern the formation of the interfacial layer. Doped p-type (Ga) and n-type (Sb) impurities may enhance the different process at the interface and cause the variations in the interfacial layer formation and so on in electrical properties. The high diffusivities of impurities and Ge atoms in Ge and the induced structural defects near the substrate surface could be one possible cause for this doping effect. As another behavior of the substrate doping effect, Ge n-MOS and p-MOS stacks show quite different C-V characteristics after high temperature postmetallization anneal treatments, which can be explained by the same mechanism.