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Buttari D. Chini A. Meneghesso G. Zanoni E. Moran B. Heikman S. Zhang N.Q. Shen L. Coffie R. DenBaars S.P. Mishra U.K. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(2):76-78
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
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两种波长激光血管内照射生物效应比较 总被引:2,自引:0,他引:2
目的:研究同等照射条件的低强度532nm与633nm激光血管内照射生物效应的特点。方法:用532nm和633nm激光对健康大耳白家兔血管内照射,平均照射功率均设定在5mW左右,照射总能量约12J。两组家兔均于照前及照后1d、4d、7d、11d采集外周血,检测血浆ET、NO、MDA含量和SOD活性。结果:两组家兔上述各指标随照后时间的变化规律相似,经方差分析组间各指标都没有显著性差异。结论:同等照射条件下,低强度532nm与633nm激光照射血液的生物效应相似。 相似文献
174.
搪瓷釜的使用维护与常用修补方法 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍搪瓷釜的使用维护要点,简单介绍目前国内外常用的搪瓷釜修补方法,从用、管、修相结合出发来延长搪瓷釜的使用寿命。 相似文献
175.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
176.
Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
177.
本文介绍的电路可同时进行时间和电荷校准,它的校准量程大,精度高,稳定性好,可输出864路指数形校准信号,并可手动或程控。它的时间校准精度优于±250ps,电荷量校准精度优于±1%。 相似文献
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在基于POSC标准的基础上,分析了POSC EPICENTER数据模型,对油田中普遍使用的LS716测井大块数据在磁盘和远程自动磁带库之间实现了一体化的数据管理,开发了数据加载,数据删除,头信息浏览线回施行能模块。该系统特点是,管理信息加载到POSC数据仓中,而真正的数据体以外部数据文件的形式存放,使得大块数据的加载和提取速度大大提高,同时,在数据仓库和远程带库之间实现了一体化的数据管理。 相似文献
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