电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

建立速度模型的层析成像方法研究

针对目前叠前深度偏移速度模型建立中，全局反演的层析成像方法存在稳定性和走时拾取困难，以及局部反演的偏移速度分析大多存在假设条件过于苛刻等问题，通过分析，提出了利用地震同相辅的多种信息进行层析反演，并在反演中加入富有地质含义的倾角信息以增加反演过程的稳定性和收敛速度，利用类似于叠加速度谱的斜率速度谱来拾取地震同相轴的斜率，抛开了层位反演要求拾取同一同相轴这一实际应用难度很大的条件，使拾取方便，算法稳定。通过理论试算，证明了本方法的有效性。     

基于POSC的测井曲线数据存储管理系统

在基于POSC标准的基础上，分析了POSC EPICENTER数据模型，对油田中普遍使用的LS716测井大块数据在磁盘和远程自动磁带库之间实现了一体化的数据管理，开发了数据加载，数据删除，头信息浏览线回施行能模块。该系统特点是，管理信息加载到POSC数据仓中，而真正的数据体以外部数据文件的形式存放，使得大块数据的加载和提取速度大大提高，同时，在数据仓库和远程带库之间实现了一体化的数据管理。     

CAD/CAM在注射模设计中的应用

以Pro/E、Moldflow软件为例,对CAD/CAM技术在注射模设计中的应用进行了研究和探讨,总结了使用该软件的一些体会,阐述了注射模CAD/CAM技术的发展趋势。     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively     

颗粒增强钢基复合材料轧辊研究的现状

分析了轧辊的发展趋势,探究了颗粒增强钢基复合材料的力学性能,揭示了颗粒增强钢基复合材料轧辊的性能优势;概述了颗粒增强钢基复合材料轧辊的发展现状和各种制备工艺,并简要分析了轧辊材料的发展.     

HSDPA部署策略及覆盖、容量规划

本文介绍了HSDPA的发展背景,针对HSDPA的主要技术特点,依据市场发展规划、用户需求等方面对HSDPA部署进行探讨,并对HSDPA的覆盖与容量方面进行规划分析.     

0.25μm CMOS千兆以太网发送器设计

分析了千兆以太网体系结构,给出了符合IEEE 802.3z标准中1000BASE-X规范的发送器电路结构,并采用TSMC 0.25 μm CMOS 混合信号工艺设计了符合该规范的高速复接电路和锁相环时钟倍频电路.芯片核心电路面积分别为(0.3×0.26)mm2和(0.22×0.12)mm2.工作电压2.5 V时,芯片核心电路功耗分别为120 mW和100 mW.时钟倍频电路的10倍频输出时钟信号频率为1.25 GHz,其偏离中心频率1MHz处的单边带相位噪声仅为-109.7 dBc/Hz.在驱动50 Ω输出负载的条件下,1.25 Gbit/s的高速输出数据信号摆幅可达到410 mV.