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One of the essential parts of a wind power generator that captures wind energy is the wind turbine blade. The safety of the blades rapidly declines as a wind turbine''s operating period grows. For real-time monitoring, a chip-type pre-stressed fiber Bragg grating (FBG) strain sensor was fabricated. The sensor''s structure was improved using simulation analysis along with optimization. It was discovered through calibration trials that the pre-stressing method expanded the sensor''s range of measurement, guaranteed overall linearity, and prevented the potential hysteresis phenomena during compression. The sensor''s final sensitivity was calculated to be 1.970 pm/με, and its linear fitting coefficient was 0.999. Finally, the sensor was used to monitor the wind turbine blades and the strain change curve of the root of a normally functioning blade is found to be a sine curve, which provides a certain reference value for judging whether the blade is damaged in the future. 相似文献
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一种检查层次式有穷状态机一致性的方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种层次式有穷状态机(HFSM)的代数表示,并在此基础之上提出了HFSM的一致性检查方法。这种检查方法主要用于检测HFSM中的不确定性状态转换和不可达状态。 相似文献
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CAI Chen 《艺术与设计.数码设计》2008,(12)
如何探索一套适用于艺术设计专业特点的基础教学方法,利用有限的时间,通过有效的训练,为专业设计建立联系,打下基础,一直是艺术设计教育者应该思考和探索的问题。 相似文献
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CAI Quan 《数字社区&智能家居》2008,(11)
针对用Excel表格作统计分析报表时出现的弊端,本文利用ASP和数据库技术对Excel原始数据进行导入、分析,从而得到满足需求的报表。 相似文献
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FENG ZhiHong WANG JingJing HE ZeZhao DUN ShaoBo YU Cui LIU JinLong ZHANG PingWei GUO Hui LI ChengMing CAI ShuJun 《中国科学:技术科学(英文版)》2013,(4):957-962
Metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) were fabricated on H-terminated polycrystalline diamond.The DC characteristics of the p-channel MESFET showed a maximum drain current density of 204 mA/mm at a gate-source voltage of 6 V,and a maximum transconductance of 20 mS/mm at a gate-source voltage of 1.5 V.The small signal S-parameters of MESFET with 2 100 m gate width and 2 m gate length were measured.An extrinsic cut-off frequency (fT) of 1.7 GHz and the maximum oscillation frequency (fmax) of 2.5 GHz were obtained,which was the first report on diamond MESFETs with RF characteristics in China. 相似文献