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971.
单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了用热喷涂工艺制备单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对 Ti Ox 纳米减反射膜结构及折射率的影响 ,优化了热喷涂的工艺条件 ,并研究了 Ti Ox 纳米减反射膜对单体太阳电池效率的贡献。实验证明 ,用热喷涂工艺制备的纳米 Ti Ox 减反射膜可使 1 0 0 mm× 1 0 0 mm单体太阳电池的平均光电转换效率增加 8%~ 9%。  相似文献   
972.
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景  相似文献   
973.
Si-Si直接键合的研究及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
何国荣  陈松岩  谢生 《半导体光电》2003,24(3):149-153,171
硅片直接键合技术是一种简单易行的硅片熔合技术,由于该技术不受材料的结构、晶向和点阵参数的影响,因而得到了广泛的应用。介绍了硅片直接键合的方法和键合模型,并简单介绍了硅片直接键合技术的应用。  相似文献   
974.
陈军  葛剑虹  周涛  沈永行 《中国激光》2003,30(6):481-484
用激光二极管 (LD)连续抽运单体复合型Cr4+∶YAG Nd3 +∶YAG单晶微棒 ,获得重复频率为 10kHz ,脉冲宽度为 10ns的调Q激光输出。输出平均功率为 18mW ,实验结果与理论计算的脉冲宽度和重复频率与抽运功率之间的关系基本相符  相似文献   
975.
研究了用二次曝光法制作掺Yb相移光纤光栅的实验过程 ,并对相移光纤光栅制作过程中出现次峰的情况进行了理论分析。合理地解释了该现象  相似文献   
976.
激光淬火+冲击复合强化处理QT800-2的实验研究   总被引:7,自引:1,他引:7  
对经激光淬火强化处理后的球墨铸铁QT800-2的强化区域再进行激光冲击强化处理进行了研究。结果表明,复合强化处理后的球墨铸铁QT800-2与经激光淬火强化处理区域相比,各项机械性能都得到了较大提高,其中硬度提高了18%,耐磨性提高了100%,尤其是材料内部残余应力全部变成了残余压应力。  相似文献   
977.
脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算   总被引:3,自引:1,他引:3  
田洪涛  陈朝 《中国激光》2003,30(8):755-758
在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 ,给出一种较直观的脉冲激光辐照有限厚双层材料Zn/InP的温度分布解析形式  相似文献   
978.
弱导光纤的标量衍射光束特性分析   总被引:3,自引:1,他引:3  
仿照罗兰圆光学系统构造罗兰球光学系统 ,在罗兰球中简化电磁波的瑞利 索末菲标量衍射积分公式 ,推导出折射率阶跃分布的弱导光纤LP模衍射场分布和空间频谱的计算公式。提出LP0 1模远场衍射分布存在类似于平面波圆孔夫琅禾费衍射艾里斑的中央亮斑概念 ,并给出中央亮斑角半宽度的计算公式。  相似文献   
979.
Cr∶LiSAF再生放大系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了灯抽运Cr∶LiSAF(Cr∶LiSrAlF6)飞秒再生放大系统 ,对 80fs光脉冲 (展宽后约 10 3ps)进行了再生放大研究 ,获得了再生放大的输出能量与输入能量和放大倍率与放大往返次数间的关系 ,得到了 8× 10 5的放大倍率和 0 4mJ的单脉冲再生放大输出  相似文献   
980.
双光栅外腔可调谐掺Yb3+双包层光纤激光器   总被引:3,自引:4,他引:3  
采用一种新颖的双光栅装置作为外腔调谐结构 ,实现了掺Yb3+ 双包层光纤激光器的调谐输出 ,调谐范围10 37~ 110 6nm。双光栅结构的应用 ,使调谐输出的激光光谱的线宽大大变窄 ,小于 0 1nm。检偏器测量结果表明 ,整个调谐范围内的激光输出均为线偏振光。  相似文献   
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