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一、引言从束流动力学的观点出发,对于粒子束在直线加速器中的运动,有两种主要的分析方法,也即粒子轨迹跟踪法及考察束流包络运动的方法。前者是通过解单粒子运动方程,跟踪大量的单粒子运动轨迹而后进行分析;后者则是通过解束流的包络线方程,根据束流包络的变化来进 相似文献
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^17O系统的R矩阵分析 总被引:2,自引:1,他引:1
采用多道多能级R矩阵理论,全面系统地分析~(17)O系统中10.5 MeV激发能以下有关~(16)O(n,n)~(16)O·~(16)O(n,a)~(13)C和~(13)C(a,a)~(13)C的全部实验数据。有关~(16)O的中子反应截面计算值被收入中国评价数据库CENDL-2和美国的评价数据库ENDF/B-6。对在R矩阵分析中如何确定本底、道半径和边界条件等问题予以讨论。 相似文献
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Behaviour of Hydrogen in Nano-transition Metals 总被引:3,自引:0,他引:3
Nanocrystalline transition metals were prepared with Ar+H2 arc plasma method. The hydrogenmust be used during preparation to get a special nanrvparticles. The hydrogen plays an importantrole in the structure and state of nanocrystalline transition metals. The state of hydrogen andthe change of the nanocrystalline metal structure caused by hydrogen are called the behaviour ofhydrogen in nano-transition metals which includes the ability and function of storing hydrogenin the metals. 相似文献
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陈光忠 《计算机应用与软件》1994,11(3):46-53
几何造型是计算机图形学的重要研究内容,CAD/CAM的核心技术,现行的许多造型系统仅限于造型二次曲面及旋转曲面,没有自由曲面造型能力,本文研究的自由畸变为法,很容易扩展这些系统的自由曲面造型功能,该方法已成功地用于扩展MOVIE.BYU系统的自由曲面造型功能。 相似文献
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A special constant deflection device for TEM has been designed and then the dislocation configuration change ahead of a loaded crack tip after corrosion or anodic dissolution for some time but before the initiation of SCC can be observed in TEM. The results showed that anodic dissolution during SCC of a type 310 stainless steel in deionized water could promote dislocation emission,multiplication and motion before the initiation of SCC. 相似文献
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Thermal Characterization of 1.3 μm InAsP/InGaAsP Ridge Waveguide MQW Lasers Based on Spectroscopy Method 总被引:1,自引:1,他引:0
An experimental way to analyze the thermal characterization of semiconductor lasers based on spectroscopy method under pulse driving conditions has been developed. By using this way the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide MQW laser diodes have been investigated. Results show that by measuring and analyzing the lasing spectra under appropriate driving parameters and temperature ranges, the thermal resistance of the laser diodes could be deduced easily. A higher thermal resistance of 640 K/W has been measured on a narrow ridge laser chip without soldering. Other thermal and spectral properties of the lasers have also been measured and discussed. 相似文献
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本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10~(16)cm~(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10~(15)cm~(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。 相似文献
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