地震勘探测量数据处理的全面解决方案

本文针对近年来地震勘探技术的发展对测量工作提出的新要求，分析了SSOffiee软件解决问题的方案和技术特色，最后提出了SSOffice软件的发展方向。     

一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式

建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧穿电流 .在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压 -电容方法模拟得到的氧化层厚度小 ,其偏差在 0 .3nm范围内 .     

Dynamic oxide voltage relaxation spectroscopy

A new method for trap characterization of oxidized silicon is described. The Dynamic Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (DOVRS) is an improved version of the formerly proposed Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (OVRS) technique which applies a periodic long duration constant current for tunneling injection. It has been demonstrated that the new technique can be used not only to separate and identify the oxide trap from interface trap, but also to separate and determine the centroid from the oxide trap density generated in the MOS system by the tunneling current stress. In the pulse constant current mode, the OVRS measurement can be completed instead of using the double current-voltage technique. Thus the new method results in more accurate and quicker measurements of the oxide trap centroid. Analytical expressions for computing the paramaters of the interface and oxide traps are derived. The effect of the channel carrier mobility on the spectroscopy is also considered. Two types of oxide and two types of interface traps were observed at a pulse constant Fowler-Nordheim current stress by the new method of DOVRS     

利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究

给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱.更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(＜3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN 应力下厚氧化层(＞4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面.     

利用训练序列的OFDM系统定时同步算法

在OFDM系统中,定时同步的好坏严重影响到接收端的接收。通过对各种已有定时同步方法的分析,利用CAZAC序列的良好特性,提出一种基于CAZAC训练序列的定时同步方法。改进后的算法能够很好地改善原有经典算法的峰值平台及测量不精确的问题。通过高斯白噪声信道仿真,证明了改进算法在定时同步方面较经典算法有明显提高。     

脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征

本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用关以样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命信息。本文综合了众多脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的物理模型，分析了不同模型之间的精细差别。     

快速辐射度算法的实现研究

当虚拟场景发生变化时,扩展的逐步求精算法作为一种快速的辐射度算法,大量减少了重新计算辐射度所花费的时间。对扩展的逐步求精算法进行研究,并利用OpenGL对算法进行了实现。通过在实验中对虚拟场景的表面反射率和几何属性进行改变,获得了一些证明算法有效性的数据,从而验证了该算法的有效性。     

基于故障补偿思想的导弹执行机构主动容错控制研究

为了提高导弹姿态控制系统的飞行可靠性,提出了基于故障补偿思想的导弹执行机构主动容错控制方法。该方法充分研究了一类导弹所采用的"+"型布局火箭发动机执行机构的结构和功能特点,分析了执行机构故障模式及其影响,在此基础上提出了主动容错控制方案,并推导出在执行机构卡死故障和恒值偏差故障情况下基于故障补偿思想的容错控制算法。仿真结果表明,该方法具有良好的容错控制效果,克服了传统被动容错控制方法在适用范围上的局限性。     

基于神经网络的导弹惯性器件故障预报系统研究

在导弹武器系统当中,及时准确地故障预报对提高导弹的安全性具有极其重要的意义.针对导弹惯性器件故障预报系统的设计要求,考虑到神经网络用于故障预报的优点,在神经网络技术应用于导弹惯性器件的故障预报过程中提出了神经网络的训练算法,把神经网络、预测理论和故障诊断系统有机结合起来建立了一个故障预报系统,利用该系统选取神经网络预测模型对某导弹陀螺随机漂移进行建模和分析,实现了故障预报.实例预测结果证明,给出的神经网络预测模型和训练算法是可行的.     

超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质

利用电子速度饱和概念和比例差值方法（proportional difference operator, PDO）研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质. 实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关. 基于缺陷散射机制，得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.