Dynamic oxide voltage relaxation spectroscopy

A new method for trap characterization of oxidized silicon is described. The Dynamic Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (DOVRS) is an improved version of the formerly proposed Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (OVRS) technique which applies a periodic long duration constant current for tunneling injection. It has been demonstrated that the new technique can be used not only to separate and identify the oxide trap from interface trap, but also to separate and determine the centroid from the oxide trap density generated in the MOS system by the tunneling current stress. In the pulse constant current mode, the OVRS measurement can be completed instead of using the double current-voltage technique. Thus the new method results in more accurate and quicker measurements of the oxide trap centroid. Analytical expressions for computing the paramaters of the interface and oxide traps are derived. The effect of the channel carrier mobility on the spectroscopy is also considered. Two types of oxide and two types of interface traps were observed at a pulse constant Fowler-Nordheim current stress by the new method of DOVRS     

脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征

本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用关以样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命信息。本文综合了众多脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的物理模型，分析了不同模型之间的精细差别。     

利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究

给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱.更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(＜3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN 应力下厚氧化层(＞4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面.     

基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟

研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(soft breakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式--类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流-电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.     

一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.     

地震勘探测量数据处理的全面解决方案

本文针对近年来地震勘探技术的发展对测量工作提出的新要求，分析了SSOffiee软件解决问题的方案和技术特色，最后提出了SSOffice软件的发展方向。     

一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式

建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧穿电流 .在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压 -电容方法模拟得到的氧化层厚度小 ,其偏差在 0 .3nm范围内 .     

企业内控制度在应收账款管理中的作用

结合当前企业推行的内控制度管理工作,对企业应收账款管理中存在主要问题进行简要分析,并从应收账款形成过程及应收账款形成后的控制措施、控制策略、制度建设等方面进行论述。呼吁尽快建立和完善适合我国国情的企业应收账款内部控制制度,有效地防范和化解企业应收账款存在的风险。     

FlexE技术及其在5G承载网中的应用探析

5G对承载网络的带宽、时延、切片、可靠性等方面提出了更高的要求。FlexE技术重用现有IEEE 802.3以太网物理层标准,在MAC层与PCS层中新增Flex Shim层,实现网络灵活性、多速率、刚性接口等特性。其捆绑、通道化、子速率等功能,可以与IP/Ethernet技术良好对接,大力助推5G承载网络的发展,为5G技术的应用提供保障。随着5G产业的不断发展与完善,FlexE技术必将得到广泛的应用。     

利用训练序列的OFDM系统定时同步算法

在OFDM系统中,定时同步的好坏严重影响到接收端的接收。通过对各种已有定时同步方法的分析,利用CAZAC序列的良好特性,提出一种基于CAZAC训练序列的定时同步方法。改进后的算法能够很好地改善原有经典算法的峰值平台及测量不精确的问题。通过高斯白噪声信道仿真,证明了改进算法在定时同步方面较经典算法有明显提高。