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41.
21~28GHz波段平衡式放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用OMM IC的0.2μm PHEM T工艺设计了工作在21~28 GH z的平衡式放大器。正交耦合电桥采用兰格电桥。兰格电桥和平衡式放大器的在片测试结果和仿真结果基本吻合,平衡式放大器在21~28 GH z的增益为18~20 dB,输入和输出回波损耗小于-20 dB,在26 GH z处的输出1 dB压缩点功率为21 dBm。 相似文献
42.
报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器,用于双波长稳频CO2激光器的控制得到令人满意的结果。 相似文献
43.
44.
45.
实验研究了以工业硫酸亚铁及废硫酸为原料,分别采用NaClo_3、KClO_3、H_2O_2及(o_2+NaNO_2)为氧化剂成聚硫酸铁的条件。在以(O_2+NaNO_2)为氧化剂的合成过程中,发现添加微量助催化剂(型号为HG-1、HG-2和HG-3),对提高合成速度及反应过程的稳定性具有重大作用。 相似文献
46.
47.
柳沟庄—窟窿山油藏储集层裂缝类型及特征 总被引:13,自引:3,他引:10
根据岩心描述、薄片观察、X-CT扫描以及钻井、测井等资料,研究了酒西盆地青西坳陷柳沟庄-窟窿山油藏裂缝性储集层的类型及特征,分析了控制裂缝发育的地质因素及裂缝对油气的控制作用,认为储集层裂缝有3种基本类型,即构造裂缝、构造熔蚀缝和饼状破裂,主要受构造应力场及构造位置等因素的控制。根据裂缝形态、充填特征及其相互关系,裂缝的形成主要有3个期次,其中喜马拉雅运动晚期形成的第三期理解缝对油气运移和聚集最有效。研究结果表明,裂缝是柳沟庄-窟窿山油藏主要的储集空间和控制油气富集的因素。 相似文献
48.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
49.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
50.
利用实验数据,分析与研究振动场振动参数对聚合物挤出制品质量的影响,对聚合物挤出制品的熔体流动速率,微晶结构,拉伸强度等主要性能质量指标,建立以振动频率为主要控制变量的神经网络模型,并引入信息分配模型,探讨了一个网络输入节点下神经网络学习样本的特征提取与优化。实验结果表明,经过信息预处理的学习样本,可以使网络有更好的收敛效果。 相似文献