全文获取类型
收费全文 | 162862篇 |
免费 | 13557篇 |
国内免费 | 6436篇 |
专业分类
电工技术 | 9563篇 |
技术理论 | 16篇 |
综合类 | 9275篇 |
化学工业 | 23383篇 |
金属工艺 | 7527篇 |
机械仪表 | 8311篇 |
建筑科学 | 10197篇 |
矿业工程 | 4197篇 |
能源动力 | 4151篇 |
轻工业 | 9694篇 |
水利工程 | 3284篇 |
石油天然气 | 6161篇 |
武器工业 | 1429篇 |
无线电 | 16466篇 |
一般工业技术 | 17241篇 |
冶金工业 | 27036篇 |
原子能技术 | 1771篇 |
自动化技术 | 23153篇 |
出版年
2024年 | 664篇 |
2023年 | 2370篇 |
2022年 | 4584篇 |
2021年 | 6065篇 |
2020年 | 4477篇 |
2019年 | 3567篇 |
2018年 | 4441篇 |
2017年 | 4972篇 |
2016年 | 4918篇 |
2015年 | 6249篇 |
2014年 | 6986篇 |
2013年 | 8396篇 |
2012年 | 10812篇 |
2011年 | 11613篇 |
2010年 | 8600篇 |
2009年 | 8300篇 |
2008年 | 7898篇 |
2007年 | 7338篇 |
2006年 | 7088篇 |
2005年 | 8681篇 |
2004年 | 6338篇 |
2003年 | 5043篇 |
2002年 | 3775篇 |
2001年 | 3270篇 |
2000年 | 2550篇 |
1999年 | 2838篇 |
1998年 | 7970篇 |
1997年 | 5323篇 |
1996年 | 3862篇 |
1995年 | 2507篇 |
1994年 | 1888篇 |
1993年 | 1755篇 |
1992年 | 770篇 |
1991年 | 684篇 |
1990年 | 585篇 |
1989年 | 530篇 |
1988年 | 505篇 |
1987年 | 348篇 |
1986年 | 317篇 |
1985年 | 271篇 |
1984年 | 115篇 |
1983年 | 119篇 |
1982年 | 178篇 |
1981年 | 219篇 |
1980年 | 223篇 |
1979年 | 87篇 |
1978年 | 107篇 |
1977年 | 625篇 |
1976年 | 1347篇 |
1975年 | 114篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 14 毫秒
141.
Chun-Yuan Chen Shiou-Ying Cheng Wen-Hui Chiou Hung-Ming Chuang Wen-Chau Liu 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(3):126-128
A novel InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT) is fabricated and demonstrated. The studied device exhibits a very small collector-emitter offset voltage of 40 mV and an extremely wide operation regime. The operation region is larger than 11 decades in magnitude of collector current (10/sup -12/ to 10/sup -1/A). A current gain of 3 is obtained even if the device is operated at an ultralow collector current of 3.9 /spl times/ 10/sup -12/A (1.56 /spl times/ 10/sup -7/A/cm/sup 2/). Furthermore, the common-emitter breakdown voltage of the studied device is higher than 2 V. Consequently, the studied device shows a promise for low supply voltage, and low-power consumption circuit applications. 相似文献
142.
143.
144.
145.
146.
147.
Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
148.
基于子波变换的涡街流量传感器信号分析 总被引:6,自引:0,他引:6
长期以来 ,如何提取潜在噪声下的涡街流量信号一直是个问题。流体流速脉动 ,局部阻力 ,随机振动———所有这些因素都给解决这一问题带来难度。文章应用子波变换消噪理论 ,从软件滤波的角度分析了强噪声干扰下的涡街流量信号 ,并提出了单支重构计数方法。分析结果表明 ,这种方法对低流速流量计量效果很好 ,能够有效地扩展量程下限 相似文献
149.
150.
火成岩储层测井评价进展综述 总被引:19,自引:0,他引:19
十多年来,国内外火成岩储层测井评价已从交会图定性分析发展到用岩心分析资料建立裂缝性储层的测井解释模型,半定量、定量评价裂缝。成像测井和核磁测井的纵、横向分辨率高,经过地质刻度,可以较精细地识别岩性和裂缝,在解释火成岩方面有良好的效果。提高岩性识别准确率,识别复杂火成岩储层和孔隙流体,以及综合评价火成岩储层裂缝、饱和度等参数,仍然是火成岩储层测井评价所面临的难题。加强岩石物理基础实验,研究火成岩储层导电机理,系统研究火成岩储层测井评价理论,推广测井新技术在火成岩中的应用,建立统一的测井评价方法,将成为火成岩储层测井评价的发展趋势。 相似文献