A novel technique for profiling the lateral n- dopingconcentrations of submicron LDD MOS devices

This paper reports a simple I-V method for the first time to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) profiles (n^- region) of LDD n-MOSFETs. One interesting result is the direct observation of the reverse-short-channel effect (RSCE). It is observed that S/D n^- doping profile is channel length dependent if reverse short-channel effect exists as a result of the interstitial imperfections caused by Oxide Enhanced Diffusion (OED) or S/D implant. Not only the lateral profiles for long-channel devices but also for short-channel devices can be determined. One other practical application of the present method for device drain engineering has been demonstrated with a LATID MOS device drain engineering work. It is convincible that the proposed method is well suited for the characterization and optimization of submicron and deep-submicron MOSFETs in the current ULSI technology     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

PZT铁电薄膜的制备及电学性能研究

使用硝酸锆作锆源的溶胶－凝胶方法制备ＰＺＴ铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线，电流Ｉ（ｔ）特性，漏电流，矫顽场疲劳和老化。测到的ＰＺＴ薄膜剩余极化８．２μＣ／ｃｍ~２，矫顽场６８ｋＶ／ｃｍ．簿膜的寿命可超过１０~（１１）周期。     

燃煤MHD发电Cr25Al5电极材料的腐蚀行为研究

采用Ｃｒ＿（２５）Ａｌ＿５合金进行煤渣／种子条件下静态腐蚀试验（温度１３７３－１５７３ｋ，时间５０－１５０ｈｒ），试验后得出三种温度下腐蚀重量变化与腐蚀时间的关系，并借助金相显微镜、扫描电镜和俄歇分析进行有关形貌及成份分析，试验表明，温度是材料腐蚀的主要因素，在１４７３ｋ条件下材料的抗蚀性最好，Ａｌ、Ｓｉ元素在腐蚀过渡层中富集，Ｃｒ元素变化不大，但有从基体向外扩散的趋势。由此，这一材料若能进一步改进，可望在控制壁面温度的半热壁型通道中进行试验研究。     

国际微电子专用关键设备的现状和发展趋势（考察报告）

讲述了参观Ｓｅｍｉｃｏｎ／ｗｅｓｔ９４′展览会及考察美国和西德的５个公司、１所大学所了解到的投影光刻技术、电子束曝光技术、透镜面形测试技术的发展。     

基于i860的存储器子系统设计

微处理机系统中的存储器子系统设计对整个系统性能的高低有重要的影响，尤其当微处理器的主频越来越高时。本文结合实际例子，给出了一个基于ｉ８６０处理器（４０ＭＨｚ）的主存设计方案，讨论了实际中需仔细考虑的因素。该设计可为其它高性能ＲＩＳＣ系统设计提供参考。     

天津钢管公司DRC直接还原厂生产工艺与自动控制

天津钢管公司DRC直接还原厂将采用英国戴维国际工程公司的DRC煤基直接还原技术,以铁矿石、煤、石灰石为原燃料,用回转窑来生产直接还原铁(DRI)。该厂将由两条回转窑生产线组成,每条生产线的生产能力为15万tDRI/年,回转窑规格为φ5.0m×80m。工厂生产主线将采用计算机集散控制系统(DCS)以实现对生产过程的自动控制。     

语音时域分割研究

在语音时域挑选剩余可懂度低的可用置换集合,置换集合是语音TDS系统中不可缺少的重要环节,本文给出了可用置换选取的条件、客观评价标准和方法。     

45号钢二次枝晶臂间距与冷却速度的关系

本文利用可控平均冷却速度的单向凝固实验炉测定了４５号钢在不同平均冷却速度下的冷却曲线，由此得到其在凝固期间的平均冷却速度Ｒ，相应地测量了不同平均冷却速度下试样的二次枝晶臂间距Ｓ２，通过回归，得到了如下关系式：Ｓ２＝７２７Ｒ－０．４１，并将引式成功地应用于实际生产中。     

局部缺陷对旋转壳内力分布的影响

本文应用有初始几何缺陷的壳体非线性应变分量公式及内时本构理论，对冷却塔在重力作用下的内力进行了弹塑性大变形计算，分析了常见的几种缺陷对冷却塔内力分布的影响。对于工程实际中有缺陷的冷却塔的整体性能分析具有重要意义，可以为工程设计提供理论基础。