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为改善黄原胶的流变性能,以油酸酰胺丙基二甲基叔胺与环氧氯丙烷为主要原料合成了长链疏水阳离子醚化试剂,并以此阳离子醚化试剂对黄原胶(XG)进行改性制得了长链疏水两性黄原胶(OD-XG)。研究并比较了OD-XG和XG溶液的流变特性,包括稳态黏度、流动曲线、触变性及黏弹性,并进一步研究了其耐温耐剪切性和破胶性能。研究结果表明,OD-XG溶液的黏度较XG显著增加,质量分数为0.6%的OD-XG溶液的黏度(237.97 mPa·s)比XG溶液黏度(74.12 m Pa·s)增大了221%;XG和OD-XG溶液的流动曲线可用非线性共转Jefferys本构方程描述;OD-XG溶液的黏弹性及触变性较XG溶液均显著提高;OD-XG溶液的耐温性能提高,80℃恒温剪切90 min后,质量分数0.4%的OD-XG溶液的保留黏度(70.10 mPa·s)约为XG溶液保留黏度(35.14 mPa·s)的2倍。破胶过程流变性研究结果表明,加入破胶剂过硫酸铵后OD-XG溶液的破胶情况良好。 相似文献
32.
Tyan-Min Niu Sammakia B.G. Sathe S. 《Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on》1999,22(4):484-487
A detailed numerical and experimental study of the thermal-mechanical stress and strain in the solder bumps (C4s) of a flip-chip ceramic chip carrier has been completed. The numerical model used was based upon the finite element method. The model simulated accelerated thermal cycling (ATC) from 0°C to 100°C. Several parametric studies were conducted, including the effects of chip size, micro-encapsulation, and the effect of the presence of voids in the micro-encapsulant. It was notably found that the presence of voids in the encapsulant does not significantly increase the stress/strain in the C4s, with the exception of very large voids and voids at or near the edge of the chip 相似文献
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高效率连续波运转的激光二极管端面抽运914 nm Nd:YVO4激光器 总被引:1,自引:2,他引:1
利用激光二极管(LD)抽运Nd∶YVO4晶体产生914 nm谱线振荡,再通过腔内倍频技术获得457 nm激光输出,是获得大功率蓝光激光器的一条重要的技术路线,因而实现高效率运转的914 nm激光输出则是方案的关键。报道了激光二极管端面抽运Nd∶YVO4晶体、连续波运转的大功率914 nm准三能级激光器,方案中采用掺杂原子数分数为0.1%的低掺杂Nd∶YVO4晶体,有效地降低了热效应的影响,并通过准三能级理论模型的模拟计算选择了最佳晶体长度;通过对腔镜介质膜参数的适当控制,有效地抑制了波长为1064 nm和1342 nm的高增益谱线。实验中,914 nm激光器的阈值抽运功率仅为8.5 W,在31 W的抽运功率下914 nm激光输出功率高达7.2 W,激光器的斜率效率为32%,光-光转换效率为23.2%。 相似文献
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Sung-Yong Chung Ronghua Yu Niu Jin Si-Young Park Berger P.R. Thompson P.E. 《Electron Device Letters, IEEE》2006,27(5):364-367
This letter presents the room-temperature high-frequency operation of Si/SiGe-based resonant interband tunnel diodes that were fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy. The resulting devices show a resistive cutoff frequency f/sub r0/ of 20.2 GHz with a peak current density of 218 kA/cm/sup 2/, a speed index of 35.9 mV/ps, and a peak-to-valley current ratio of 1.47. A specific contact resistivity of 5.3/spl times/10/sup -7/ /spl Omega//spl middot/cm/sup 2/ extracted from RF measurements was achieved by Ni silicidation through a P /spl delta/-doped quantum well by rapid thermal sintering at 430/spl deg/C for 30 s. The resulting devices are very good candidates for RF high-power mixed-signal applications. The device structures presented here are compatible with a standard complementary metal-oxide-semiconductor or heterojunction bipolar transistor process. 相似文献