首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24804篇
  免费   650篇
  国内免费   2691篇
电工技术   2037篇
综合类   3718篇
化学工业   2274篇
金属工艺   2971篇
机械仪表   969篇
建筑科学   1362篇
矿业工程   913篇
能源动力   363篇
轻工业   2265篇
水利工程   702篇
石油天然气   2555篇
武器工业   80篇
无线电   1917篇
一般工业技术   1606篇
冶金工业   687篇
原子能技术   656篇
自动化技术   3070篇
  2024年   2篇
  2023年   3篇
  2022年   5篇
  2021年   7篇
  2020年   9篇
  2019年   6篇
  2018年   7篇
  2017年   25篇
  2016年   18篇
  2015年   20篇
  2014年   814篇
  2013年   491篇
  2012年   825篇
  2011年   4455篇
  2010年   1893篇
  2009年   1162篇
  2008年   1011篇
  2007年   676篇
  2006年   759篇
  2005年   994篇
  2004年   4166篇
  2003年   2242篇
  2002年   1945篇
  2001年   1238篇
  2000年   672篇
  1999年   986篇
  1998年   488篇
  1997年   519篇
  1996年   234篇
  1995年   185篇
  1994年   201篇
  1993年   555篇
  1992年   436篇
  1991年   299篇
  1990年   375篇
  1989年   288篇
  1988年   45篇
  1987年   10篇
  1986年   15篇
  1985年   10篇
  1984年   18篇
  1983年   9篇
  1982年   9篇
  1981年   2篇
  1980年   2篇
  1979年   5篇
  1978年   2篇
  1966年   2篇
  1958年   3篇
  1951年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
胥凌 《电子质量》2002,(11):47-51
本文讨论对DVD视盘机的电磁骚扰的抑制,使其电磁骚扰水平符合有关标准的要求,不成为新的电磁环境中的污染源。  相似文献   
12.
地震勘探技术应用可以分为以二维地震研究构造为主的地震勘探初级阶段、以地震地层学为主的地震勘探中级阶段、以三维地震油藏静态描述为主的地震勘探高级阶段、以地震储层研究为主的开发地震妆级阶段和以四维地震进行油藏监测为主的开发地震高级阶段。针对5个不同阶段的地质条件和地质任务,选择使用合理的地震勘探技术是有效提高勘探开发效益的重要途径。焉耆盆地的勘探开发体现了以地震勘探为主的思路,在勘探开发过程中重视了针对不同勘探开发阶段和不同的地质 地震技术,因此,在早期勘探开发中取得了很好的经济效益。  相似文献   
13.
研究了用固体润滑石墨、碳化硅、二硫化钼等填料改性的聚苯硫醚 (PPS)涂层的耐磨性能。实验结果表明 ,聚苯硫醚复合涂层具有优良的耐磨性 ;加入适量 ( 3 0 % )的石墨、碳化硅等固体润滑剂 (石墨 :碳化硅 =2∶3 ) ,可以有效提高涂层的耐磨性能 ,而二硫化钼和三氧化二铬的减摩效果更佳  相似文献   
14.
风管摩擦阻力的直接计算方法   总被引:2,自引:1,他引:1  
彭小勇  李惠敏 《暖通空调》2004,34(12):76-77,80
提出用高精度的反映密度、黏度和温度关系的经验公式和Colebrook公式计算风管摩擦阻力系数的方法。分析和算例表明,用该方法计算,计算结果比采用常用工程设计方法更为准确,为应用计算机进行风道设计提供了直接、简便的方法。  相似文献   
15.
关于沥青针入度指数   总被引:17,自引:7,他引:10  
介绍了沥青针入度指数(PI)的由来和计算、使用意义、局限性和分析。  相似文献   
16.
真空冷冻干燥技术在三七加工中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了真空冷冻干燥的基本原理,并据三七的特点,探讨三七真空冷冻干燥的工艺流程及特点,简要分析了三七冷冻干燥的前景。  相似文献   
17.
Turbulence represents an essential aspect in atmospheric and oceanic circulations.In particu-lar,it is a preponderant factor in the dispersion of pollutants of artificial or natural origin.Thevertical turbulent jets,plumes and buoyant jets discharging into static environment is one of themost important and basic flow patterns related with the environment pollution.These flows havenumerous important applications,for example,thrust augmentors,waste disposal plumes fromstacks and combustion systems,and significant problems of turbulent diffusion.  相似文献   
18.
多灰度级显示器上的曲线绘制   总被引:1,自引:0,他引:1  
光栅扫描显示器的屏幕是由位置固定的,离散的象素点所组成的,因而在其上生成的曲线只能是实际曲线的某种近似表示,并不是很美观的,例如有曲线的阶梯效应及曲线亮度不均度等问题,该文说明利用多灰度光栅显露器可以在一定程度上解决这些问题,并且用给出的主些算法绘制曲线时,可以较好地解决上述问题,这些算法在动画制作中也可有典型的应用。  相似文献   
19.
The dye-sensitized TiO2 complex films were prepared by the dye coat onto TiO2 surfaces,and the sensitizing mechanism and adsorption properties of the dye-sensitized TiO2 complex films were inverstigated.The influence of the application conditions of dye adsorbed on TiO2 films on the amount of dye adsorption was discussed.Experimental results show that the concentration,the temperature of dye solutions and the dipping time of TiO2 films in the dye solutions have a significant influence on the amount of dye adsorption.Cell test indicates that the conversion efficiency of light to electricity increases with the amount of dye adsorption.  相似文献   
20.
The alkali-metal Na adsorption on Si(100)2×1 surface and its promoted oxidation and Si oxidegrowth have been investigated by means of thermal desorption,work function,Auger electronspectroscopy and photoemission electron spectroscopy.The experimental data showed that therewas a new state,interface electron state,near the Fermi level after the deposition of Na atoms.It wasfound that the presence of Na always caused an increase of the oxygen initial uptake whereas thepromotion of Si oxide growth was observed only at the coverage of Na greater than 0.5 ML.A newmechanism of Na-promoted Si oxide growth is suggested in this paper.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号