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61.
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器   总被引:3,自引:0,他引:3  
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。  相似文献   
62.
制革用水乳型聚氨酯涂饰剂行业标准的制定   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文概述了制定该标准的背景,对标准的主要内容加以科学的阐述。  相似文献   
63.
C-VISION中文窗口系统综合采用了面向对象与窗口环境设计的程序方法,彻底更新了在微机上进行中文窗口设计的编程思想,同时作为一个基础系统,为软件设计节约了大量的人力和时间,实现了微机程序的共享。  相似文献   
64.
本文评述了近年来苯基荧光酮类试剂在金属及合金光度分析中应用的发展状况,显色反应的条件,以及相应光度分析方法的检测限和测定范围等。参考文献87篇。  相似文献   
65.
进行了PAA(PolyacrylicAcid)-PSF(Polysulfone)交联复合膜的制备,研究了交联剂、添加剂对膜性能的影响,并通过扫描电镜观察了膜的断面结构.研究了PAA-PSF交联复合膜对低浓度有机醇类水溶液反渗透分离性能.发现对于1000×10-6乙醇水溶液截留率达到66.2%,透过流束可达0.9×10-6(m3·m-2·s-1).随醇的分子量的增加,截留率不断上升,对戊醇的截留率达94.3%,而透过流束则保持相对稳定.对不同结构醇类的分离性能研究表明,截留率存在有:tert->sec->iso->n-的规律.  相似文献   
66.
徐红艳  韩军 《真空与低温》1997,3(4):207-212
介绍了二级抛物面型辐射制冷器的热物理模型及用蒙特卡罗方法数值模拟解决其热流理论和辐射热耦合表面(漫发射、镜反射)辐射热交换的处理方法。  相似文献   
67.
The problem of eigenstructure assignment in multivariable linear systems by decentralized output feedback is considered. By using a complete parametric solution of a generalized Sylvester matrix equation, parametric representations of both the left and right closed-loop eigenvectors and generalized eigenvectors as well as the feedback gains with respect to the closed-loop eigenvalues and two series of partially free parameter vectors are established. The obtained result does not require any conditions on the closed-loop eigenvalues, and generalizes some previous results in this area. An example shows the effect of the proposed approach  相似文献   
68.
We have fabricated a self-aligned offset-gated poly-Si thin film transistor (TFT) by employing a novel photoresist reflow process. The gate structure of the new device is consisted of two unique patterns: A main-gate and a sub-gate. The new fabrication method extends the gate-oxide over the offset region. With the assistance of the sub-gate and reflowed photoresist a self-aligned offset region is successfully obtained due to the offset oxide acting as an implantation mask. The poly-Si TFT with symmetrical offsets is easily fabricated and the new method does not require any additional offset mask step. Compared with the misaligned offset gated poly-Si TFTs, excellent symmetric electrical characteristics are obtained  相似文献   
69.
SHS法陶瓷衬管的研究现状及应用前景   总被引:2,自引:0,他引:2  
回顾了自蔓延高温合成陶瓷衬管的发展历史,对国内外的研究现状进行归纳总结,介绍了离心SHS法生产陶瓷衬管的工艺特点及产品性能,展望了离心SHS陶瓷衬管的应用前景。  相似文献   
70.
本文介绍了磨前滚刀滚切齿轮的最大根切量和磨后的渐开线长度计算,并建立了数学模型。为更加直观起见,还建立了模拟滚齿的数学模型。并在实验的基础上提出了参考标准。  相似文献   
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