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301.
本文对氧化非晶硅磷掺杂的工艺条件进行了研究,得出掺磷氢化非晶硅的电导率随衬底温度、气体流量、气体压力、射频功率、淀积时间的变化关系,为非晶硅的有效掺杂和器件研究提供了依据。 相似文献
302.
电致伸缩陶瓷微位移器非线性的数值方法补偿 总被引:7,自引:1,他引:6
本文通过对电致伸缩陶瓷材料的非线性进行分析。找到了补偿电致伸缩陶瓷非线性的数值方法,并对不同回程大小的电滞回线进行了分段处理,使补偿结果更为精确。 相似文献
303.
304.
GaAs器件工艺中等离子刻蚀及计算机辅助监控技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
陈正明 《固体电子学研究与进展》1994,14(2):182-185
用N2气和NF3反应气体,在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶AZ1518作掩模,均匀、快速刻蚀SiO2,SiON,Si3N4,WN,W等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术,将射频参数的变化在计算机屏幕上实时显示,实现了计算机辅助监控和终点检测技术。 相似文献
305.
GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献
306.
微波BJT超宽带低噪声放大器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文给出了一种频带覆盖达10-1600MHz的微波BJT超宽带低噪声放大器的设计方法,从微波BJT的噪声模型出发,通过拟合50Ω源阻抗下微波BJT的噪声系数NF50和S参数来提取其噪声参数,然后根据增益,噪声及驻波比要求优化设计放大器,使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声,本文所给出的微波BJT惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。 相似文献
307.
本文论述了寄生电容不敏感型开关电容四象限模拟乘法器的设计,并提出了一种新型的电路结构,分析了它的性能,以及元器件的非理想特性对其性能的影响和采取的补偿方法。 相似文献
308.
微波辐射电镜生物样品制备方法研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文报道一种快速微波辐射电镜样品制备方法──水浴法,以及这个方法在动植物样品超薄切片制备中的应用。实验结果表明,水浴法使得样品可以接受相对较长时间的微波辐射而不致造成任何损伤,浸泡液和样品的温度控制简单而且准确,样品处理的结果内外均匀一致,超微结构保存优秀,完全可与常规制样法和Login法的结果相媲美,而且在某些方面水浴法要优于常规法和Login法。 相似文献
309.
Effect of grain boundary phase on the thermal conductivity of aluminium nitride ceramics 总被引:2,自引:0,他引:2
Ching -Fong Chen M. E. Perisse A. F. Ramirez N. P. Padture H. M. Chan 《Journal of Materials Science》1994,29(6):1595-1600
AIN with high thermal conductivity was fabricated by pressureless sintering with Y2O3 as the sintering aid. The thermal conductivity was observed to increase with sintering time (up to 8 h) at 1810 °C. The distribution of the sintering aid was identified as one of the major factors influencing the thermal conductivity in AIN. Non-uniform distribution of the grain boundary phase was found to be associated with a significant amount of porosity, resulting in the enhancement of phonon scattering and thereby lowering the thermal conductivity. 相似文献
310.
The effect of titanium addition on the dynamic recrystallization behaviour of steels has been investigated. Constant strain rate tension tests were conducted in vacuum in the temperature range from 925 to 1225°C. Dynamic recrystallization-time-temperature (RTT) curves were developed from the flow curves at ε? = 1 × 10?2s?1. The results of the different steels with and without Ti indicate that the onsets of dynamic recrystallization in all the steels are earlier at higher temperatures than at lower temperatures and the addition of titanium may shift the RTT curve of the C–Mn–Si steel towards the right, i.e. retard dynamic recrystallization. The retarding effect of Ti becomes more intensive at temperatures below about 1075°C where a transition of the RTT relationship occurs. Microstructural examinations show that titanium dissolved in austenite can retard the dynamic recrystallization and the precipitation of TiC produces a more intensive retarding effect. 相似文献