圩区排涝模数计算方法研究

合理确定圩区排涝模数对于降低涝灾损失有重要意义。圩区内土地利用性质的不同,会导致产汇流机制和排涝标准的不同,但排涝模数的计算方法基本一致。本文根据圩区下垫面条件进行产汇流计算,入河流量扣除滞蓄量得到排涝模数,充分考虑到圩内河道的调蓄作用。以常熟市为例,对城镇圩区、农业圩区排涝模数进行计算,并分析了两种圩区不同的排涝要求对排涝模数计算方法的影响。     

城市轨道交通工程给排水及水消防设计(一)

结合工程实例,介绍了轨道交通工程给排水及消防的设计.     

生态城市与水利现代化

对天津及其滨海新区生态城市水利建设进行了分析。研究了在淡水资源极度匮乏的条件下,有效开发利用非常规水资源的必要性、重要性和现实性。认为天津市对水资源应遵循节水、治污、高效配置,妥善处理生活、生产、生态之间的关系,力求平衡调配。供水水源应是多元的,增加非常规水资源(污水、海/咸水、雨/洪水)的利用,同时增加可用地下水,外调来水等,逐步进入可持续发展配置。     

砂岩气藏水基欠平衡钻井逆流自吸效应实验研究

采用水基钻井液欠平衡钻开砂岩气层时，欠平衡压差往往并不能完全抵消岩石的自吸毛细管力，从而产生逆流自吸效应。这种自吸效应可能对砂岩气藏水基欠平衡钻井的储层保护效果产生影响，但目前与之有关的实验研究还很缺乏。为此，设计了一套实验装置，模拟水基欠平衡条件，研究了砂岩基块孔隙逆流自吸规律及其影响因素。结果表明，水基欠平衡钻井过程的逆流自吸效应引起岩石气相渗透率降低，削弱欠平衡钻井的储层保护效果；欠平衡压差越小，逆流自吸作用越强，过小的欠压值不能起到欠平衡钻井保护储层的作用；随着逆流自吸时间延长、围压增加和黏土矿物膨胀，逆流自吸导致气相渗透率下降的程度加剧；逆流自吸引起的气相渗透率下降速率可以表示成时间的幂函数。     

Structure and Magnetic Properties of LaCo_(13-X)M_X Intermetallic Compounds

ＳｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＭａｇｎｅｔｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａＣｏ＿（１３－Ｘ）Ｍ＿ＸＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄｓＷＵＪｉａｎＭｉｎ；ＬＩＦｅｎｇ；ＴＡＩＬｉＣｈｉａｎｄＺＨＥＭＧＱｕｎＳｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＭａｇｎｅｔｉｃＰ...     

关于布尔函数的二次逼近

本文首先利用矩阵形式引入了二阶ｗａｌｓｈ谱的概念并讨论了其性质，其次引入了二次ｂｅｎｔ函数的概念，同时论述了二次ｂｅｎｔ函数的密码学意义。     

准分子激光的应用

本文介绍了准分子激光器的基本类型、主要应用领域及其与材料相互作用的机理。对准分子激光在电子工业、生物医学和材料加工方面的一些重要应用做了比较详细的论述。     

CVD金刚石工具膜生长特征SEM观察

本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积（ＣＶＤ）法生长金刚石膜，在Ｓｉ及ＷＣ－Ｃｏ硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异，经适当表面处理及选择合适的工艺条件，当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜，衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Ｒａｍａｎ谱分析表明此膜仅具有特征金刚石１３３２ｃｍ￣（－１）峰，通过ＳＥＭ观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长，并与衬底有良好的联结。     

GENERATION OF NONLINEAR INTERNAL WAVES ON CONTINENTAL SHELF

1 .　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＩｎｔｅｒｎａｌｔｉｄａｌｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｗｉｔｈｂｏｔｔｏｍｆｅａｔｕｒｅｓａｐｐｅａｒｓｔｏｂｅｔｈｅｄｏｍｉｎａｎｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｆｏｒｇｅｎｅｒａ ｔｉｏｎｏｆｔｈｅｃｏｈｅｒｅｎｔｏｃｅａｎｉｃｉｎｔｅｒｎａｌｗａｖｅｓｔｈａｔａｒｅｏｂｓｅｒｖａｂｌｅｗｉｔｈＳＡＲ ,ｃｌｏｓｅｒｔｏｓｈｏｒｅ ,ｒｉｖｅｒｉｎｅｏｒｇｌａｃｉａｌｉｎｔｒｕｓｉｏｎａｎｄｃｏｎｔｉｎｅｎｔａｌｂｒｅａｋｐｒｏｖｉｄｅｓｅｃ ｏｎｄａｒｙｇｅｎｅｒａｔｉｎｇｍｅｃｈａ…     

New efficient designs for XOR and XNOR functions on the transistorlevel

Two new methods are proposed to implement the exclusive-OR and exclusive-NOR functions on the transistor level. The first method uses non-complementary signal inputs and the least number of transistors. The other one improves the performance of the prior method but two more transistors are utilized. Both of them have been fully simulated by HSPICE on a SUN SPARC 2 workstation