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经高温热处理后的 SiGe∶GaP 半导体温差电材料,其微观结构由具有富 Si 相特征变化成为具有富 Ge 相特征,温差电优值也得到了提高。实验还表明,材料晶格热导率的降低与富 Si 相的消失和富 Ge相的出现有关。然而,塞贝克系数和电导率的显著变化却与微观结构中富 Si 相和富 Ge 相的变化基本无关。通过对材料微观结构和温差电特性比较发现,具有富 Ge 相特征的微观结构对应于较大的温差电优值。 相似文献
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户式中央空调发展方向的探讨 总被引:2,自引:1,他引:1
本文描述了我国户式中央空调的发展现状,分析了三种户式中央空调各自的特点,提出了把风管式机组作为我国户式中央空调的发展方向。 相似文献
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采用美国PDI公司开发的PDI-S软件,对不同缺陷基桩的反射波法低应变动测曲线进行数值模拟,对动测曲线的特征进行归纳与总结,以便在解释反射波法曲线时作为参考与借鉴,提高基桩质量检测的可靠度。 相似文献