电子政务建设若干经验与问题探讨

介绍世界电子政务的发展状况,在总结各国电子政务发展经验和特点的基础上,指出我国要建设优质、高效的电子政务的关键,是要树立转变观念、统一规划、分步实施的建设理念.     

非标准工况下空分设备增产氩的研究与实践

文章对非标准工况下的空分设备增产氩措施进行了研究。以宝钢6#60000m3/h空分设备为例,通过设计型算法和校核型算法,建立了空分设备精馏的数学模型,通过改变数学模型的参数,分析了在非标准工况下精馏塔内的组分浓度分布,并提出了优化后的操作方案和操作参数,实施后提高了空分设备的氩提取率,取得了显著的经济效益。     

跳频对GSM网络容量的贡献

本首先提出了射频跳频技术是提高网络容量的关键技术。在此基础上，以跳频为着眼点，分析并量化计算了跳频对干扰的改善度，同时根据跳频对容量的影响，给出现有技术条件下GSM网容量的极限。     

焦化干气一步法预处理多功能催化剂的工业侧线试验

对焦化干气一步法预处理工艺催化剂进行了工业侧线试验。考察了温度和体积空速对催化剂的活性及催化剂稳定性和加氢选择性的影响。催化剂为以复合型ZnO和过渡金属氧化物为活性组分的多功能催化剂,用于低温下焦化干气中烯烃加氢和硫化物脱除。试验结果表明,在压力1.6MPa、温度285～350℃、空速100～500h-1的条件下,多功能催化剂能将焦化干气中烯烃的体积分数由8%～14%降至0,总硫含量从10～70μg/g脱除至5μg/g以下;经28d考核,多功能催化剂仍保持良好的烯烃加氢和硫化物脱除性能,可用于精制焦化干气。     

聚丙烯催化剂的研发进展

综述了用于丙烯聚合的Ziegler-Natta催化剂在给电子体技术及催化剂制备工艺等方面,茂金属催化剂在制备丙烯均聚物、丙烯共聚物及特殊聚丙烯等方面,非茂单活性中心催化剂在丙烯活性聚合、丙烯与极性单体共聚及水介质聚合等方面的研发进展;讨论了聚丙烯催化剂的前景。     

煤直接液化中SO2-4 /ZrO2固体酸的催化作用

以二苯甲烷、苯乙醚为煤的模型化合物,以四氢萘(THN)为溶剂,进行中高压加氢液化实验,结合产物的气相色谱和质谱分析,考察了SO2-4/ZrO2固体酸对煤直接液化的催化作用及加氢液化机理.实验结果表明,SO2-4/ZrO2固体酸对模型化合物的转化具有良好的催化活性,与非催化液化相比,400 ℃、H2初压5 MPa、30 min时二苯甲烷的转化率由8.96%提高到61.75%,且模型化合物的存在促进了溶剂THN的转化,上述条件下THN的转化率也达到10.92%;模型化合物及THN的转化主要包括氢解、异构、氢转移及烷基化等反应;SO2-4/ZrO2固体酸的催化作用主要为酸催化的离子反应机理,增强催化剂的酸性有利于煤的催化液化.     

助催化剂对TiCl_4/MgCl_2催化丙烯高温聚合的影响

研究了助催化剂种类(三甲基铝、三异丁基铝、三正己基铝、三乙基铝和甲基铝氧烷)及其含量对无内、外给电子体的TiCl4/MgCl2催化剂催化丙烯高温(100℃)聚合性能的影响,并用结晶分级分析、示差扫描量热和凝胶渗透色谱等方法分析了所得聚丙烯的结晶熔融行为和微观结构。实验结果表明,聚合温度从70℃升至100℃时,TiCl4/MgCl2催化剂的定向能力基本不变;100℃聚合时,以烷基化能力较弱的三异丁基铝为助催化剂时TiCl4/MgCl2催化剂的活性最高,而采用烷基化能力最强的三甲基铝为助催化剂时TiCl4/MgCl2催化剂的活性最低;100℃聚合时,助催化剂的种类对TiCl4/MgCl2催化剂的定向能力影响很小。     

太原市城南地区汾河与东岸防洪隐患与出路

本文对当前城南地区汾河以东防洪存在的诸多隐患进行了阐述，并提出了相应的见解与措施。     

离子液体用于燃料油深度脱硫的研究进展

首先介绍了加氢催化脱硫和其他脱硫技术的特点,综述了近年来国内外利用离子液体在萃取脱硫、萃取脱硫与氧化脱硫耦合、萃取脱硫与生物脱硫耦合等方面的研究。认为离子液体萃取脱硫具有操作简便、可循环使用、无需氢气、环境友好、能深度脱硫等特点,是一项具有广阔发展前景的技术。若要实现该技术的工业化应用,还需进一步加强离子液体在合成工艺、脱硫选择性及回收再生等方面的研究。     

Breakdown behavior of GaAs/AlGaAs HBTs

Avalanche breakdown behavior at the collector junction of the GaAs/AlGaAs HBT (heterojunction bipolar transistor) has been studied. Junction breakdown characteristics displaying hard breakdown, soft breakdown, and negative resistance breakdown behavior were observed and are interpreted by analysis of localized microplasma effects, uniform microplasma-free behavior, and associated current gain measurements. Light emission from the collector-base junction of the GaAs/AlGaAs HBT was observed and used to investigate breakdown uniformity. Using a simple punchthrough breakdown model, the theoretical breakdown curves at different collector doping concentrations and thicknesses were computed and found to be in agreement with maximum breakdown voltages measured from devices displaying the most uniform junction breakdown. The serious current gain degradation of GaAs/AlGaAs HBTs at low current densities was analyzed in connection with the measurement of a large collector-emitter breakdown voltage. The unexpected functional relationship between the collector-emitter breakdown voltage and collector-base breakdown voltage is explained by the absence of a hole-feedback effect for devices not exhibiting transistor action