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61.
近期、芯片制造工艺发展到了纳米时代(栅极宽度<100nm),IM E C发起并联合了全球七家主要半导体芯片制造商和几乎所有主要设备制造商,在刚建立起来的φ300m m硅片尺寸工艺中试线上,共同展开了45nm和32nm的芯片制造工艺的研究工作。虽然芯片封装技术也在快速发展,但其速度赶不上芯片制造工艺的迅猛发展。在先进的芯片制造技术和最新的PCB技术之间所谓的“互连技术壕沟”在不断扩大。而且,不断增加的工作频率,以及由于集成电路复杂程度提高而导致I O管脚的增加,都要求封装技术产生重大的技术变革,以保证在将纳米级的芯片与毫米级的系统相连… 相似文献
62.
63.
本文计论了高阶FIR型正交镜像滤波器的设计问题。根据FIR正交镜像滤波器设计的基本原理,将高阶正交镜像滤波器的设计问题转换为单变量的优化设计问题。利用一维寻优的算法,可以设计出高阶FIR型正交镜像滤波器。 相似文献
64.
随着鄂西黄陵背斜南翼震旦系陡山沱组全球最古老页岩气的首次发现,该层系暗色页岩的含气性已获得证实。通过宜昌-秭归地区黄陵背斜南翼秭地1井岩心现场含气量解析和岩矿分析,获得了黄陵背斜南翼震旦系陡山沱组暗色页岩含气量和密度数据;通过区域地震资料处理解释和秭地1井、秭地2井钻井标定层位,获得了有利区含气页岩厚度及分布,明确了含气页岩的体积;通过概率体积法对该区陡山沱组页岩气资源量进行计算,其范围为(845.78~3 029.08)×108 m3,中值资源量为1 947.27×108 m3,证明该层系具有良好的页岩气资源潜力,可作为鄂西地区下一步页岩气勘探的重点区域。 相似文献
65.
波浪在水流作用下的变形 总被引:6,自引:0,他引:6
本文通过实验研究,分别观测了规则、波单向不规则波和多向不规则波在不同流速条件下的情况,同进利用静水中的实测波浪资料通过理论计算,分析了在水流中的波浪,并将计算值与实测值做了对比。比较表明,当波浪主方向与水流、法线方向的夹角不过大时,计算与实验吻合较好,表明所推荐的理论方法是可行的。 相似文献
66.
波浪对三维浮体的二阶作用 总被引:4,自引:2,他引:4
滕斌 《水动力学研究与进展(A辑)》1995,(3):316-327
本文通过求解二阶势的方法对波浪与任意形状三维物体的相互作用问题做了研究,波浪运动的二阶势应用高阶边界元方法进行计算,为了高阶边界元法的应用,本文给出了一个无速度势二阶空间导数,无奇异积分的新的积分方程。 相似文献
67.
Yi Wu Teng Joon Lim 《Wireless Communications, IEEE Transactions on》2004,3(2):348-352
In this letter, we study differentially modulated, iteratively decoded CDMA. The iterative multiuser receiver proposed consists of an additional soft-input soft-output (SISO) differential decoder, when compared to turbo multiuser detectors for absolutely modulated systems. Algorithms for iterative decoding with and without phase information at the receiver are developed. The resulting turbo receivers with differential modulation outperform coherent receivers with absolute modulation at moderate to high signal to noise ratios due to the interleaver gain associated with recursive inner encoders in serially concatenated encoding structures. 相似文献
68.
69.
本研究通过模拟胶版印刷,对不同蔗渣浆(化学浆、APMP、CMP)配抄的新闻印刷纸的印刷适性进行了初步的探讨,为开发蔗渣浆新闻纸提供一定的理论依据和可靠数据。 相似文献
70.
Teng Xiao Weipan Cui Min Cai Wai Leung James W. Anderegg Joseph Shinar Ruth Shinar 《Organic Electronics》2013,14(1):267-272
We demonstrate the utility of a low-cost cesium iodide interlayer spun from an aqueous or 2-ethoxyethanol solution on ITO in inverted polymer solar cells of the structure ITO/CsI/P3HT:PCBM/MoO3/Al, where P3HT is poly(3-hexylthiophene) and PCBM is [6,6]-phenyl-C60-butyric acid methyl ester. The power conversion efficiency (PCE) of optimized cells was ~3.4%, comparable to that we obtained for inverted cells with Cs carbonate. The thickness of the CsI film was adjusted by varying the solution concentration. The concentration affected the surface morphology of P3HT:PCBM and the density of fractal-like aggregates (possibly related to the presence of Cs and film fabrication conditions) formed near the anode, as revealed by scanning electron microscopy. Auger analysis indicated a P3HT-rich surface. Optimization of the cells was achieved also by varying the thickness of the MoO3 and the drying/annealing conditions of the active layer, as was evident from the current–voltage characteristics, external quantum efficiency spectra, and PCE. The cells with the CsI interlayer were compared additionally to cells with CsCl or CsF interlayers (with a PCE of up to ~2.7%), which were inferior to the comparable cells with Cs2CO3 or CsI. The surface concentrations of Cs and the halide on ITO were monitored using X-ray photoelectron spectroscopy. The iodine level was low with the Cs:I ratio exceeding 8:1. In contrast, the Cs:Cl ratio was ~1.4:1 and the Cs:F ratio was ~1:1; the Cs2CO3 decomposed partially, as expected. Therefore, for CsI, as is the case for Cs2CO3 but not for CsF, Cs–O bonds are formed at the surface. Such bonds on ITO are important in modifying the ITO work function, improving the cell performance. The results indicate that spin coating solutions of the high polarity CsI is a promising and easy approach to introduce Cs–O on ITO in inverted structures for increased electron extraction from PCBM and possibly hole extraction from the P3HT-rich surface at the anode. 相似文献