红外烟火剂的设计及制作分析

红外烟火剂是红外干扰弹的重要组成部分．阐明了红外烟火剂的用途及归类，通过分析红外烟火剂的燃烧辐射机理、燃烧热效应，研究了红外烟火剂的配方，并指出配方设计的基本要求．对红外烟火剂的制作方法、成型工艺等进行了分析．     

H.264,VC-1和AVS视频编码研究

从编码结构、核心技术和编码性能等方面对H．264,VC-1和AVS标准进行了研究分析,并综合比较了各个编码技术标准的特点,为应用视频压缩编码标准提供了依据。     

Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响

用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构.分别采用1 000 ml/min和400 ml/min 的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析.发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响.     

红外成像制导仿真图像实时生成系统设计与研制

为了更加逼真地模拟红外目标及战场背景,基于图像生成及显示计算机、硅桥MOS电阻面阵控制计算机系统、128×128 MOS电阻阵列及电源、实时通讯反射内存网络(反射内存卡及光纤)、目标及背景红外图像实时生成软件和MOS电阻面阵控制软件等6部分组成了某红外图像实时生成系统;该系统采用的高速光纤反射内存实时通讯网络、超大规模D/A控制板等使得帧刷新频率达到了200 Hz以上、长线传输不受环境电磁干扰、更易于向256×256MOS电阻阵列扩展等,同时保证了在五轴转台的恶劣环境下可靠工作.     

基于FPGA的OBS多网卡接口平台的设计与实现

给出了一套基于FPGA的OBS多网卡接口平台的解决方案.该方案采用基于NiosII片上处理器的FPGA开发板作为硬件平台,扩展其I0接口,实现了多个以太网卡.该方案将物理层和MAC层构建在SOPC架构中,硬件层提供多网卡接口,软件层驱动采用采用uC/OSII和LwIP网络协议栈的开发环境.具有设计灵活、可重构、开发成本低、周期短的优势.     

液体中微悬臂传感器共振检测技术的研究

讨论了微悬臂生化传感器在动态模式下的工作原理,针对在液体环境中阻尼增大、微悬臂共振品质因素下降的问题,设计了一个正反馈电路,使得微悬臂在液体中能够稳定在其固有频率上自激振荡.从而简便地测出微悬臂传感器在吸附分析物之后的频率变化.实验中将黄金Au溅射于微悬臂上,每次溅射的厚度为1nm,等效质量约为0.042 72 ng,溅射12次,测得去离子水中微悬臂的频率随溅射的Au质量的增加,约以-10.089 Hz/,pg的线性趋势下降,微悬臂对附加质量的检测分辨率提高了约200倍,达到1 pg.     

一种鲁棒的均值漂移与彩色特征点提取相结合的面部跟踪算法

针对复杂背景中的多人脸跟踪问题,提出一种均值漂移与彩色特征点提取相结合的面部跟踪算法.手动选取要跟踪的面部区域,并利用彩色Harris探测器进行特征点提取,然后根据肤色的色度信息,利用均值漂移算法粗略定位人脸的位置,之后对这个区域提取特征点,与其前提取的特征点进行匹配,满足约束条件的区域即为要跟踪的人脸区域.实验表明,该算法可以排除近肤色物体的干扰并可以在多人脸发生重叠的情况下保持稳定跟踪.     

基于多尺度分析的电力月负荷预测

介绍了小波分析原理及多尺度分析法。根据月度负荷的增长和波动趋势，利用多尺度分析法将月度负荷序列进行分解，采用灰色理论法和神经网络法对序列进行预测，建立了优化预测模型，该模型优于只考虑单一发展趋势的负荷预测模型。计算结果表明，该方法可以明显提高月度负荷预测的精度。     

一种天基干扰通信卫星的方法及仿真

天基干扰平台是卫星通信对抗发展的必然趋势。提出了一种干扰卫星的轨道设计方法,并对天基干扰通信卫星的过程和结果进行了仿真分析。结果表明,利用干扰卫星能够对通信卫星进行短时间的高强度干扰。     

TFT-LCD 静电防止回路模拟与设计

为了防止静电放电(ESD)引起静电击穿造成TFT-LCD不良,通过实际测试和PSpice模拟讨论了TFT-LCD在设计过程中,ESD回路设计的规则和容限,通过放电模型的建立,得出显示器分辨率的变化与ESD回路中TFT宽长比(W/L)的关系,确立了静电防止回路的设计方向、规则。模拟分析结果表明:扫描门电极(Horizontal)在分辨率为H1080时ESDW/L设计为38.9/7.4μm,在分辨率为H1200时ESDW/L设计为35.0/7.4μm,满足模拟条件;数据线电极(Vertical)在分辨率为V1600时ESDW/L设计为14.7/7.4μm,在分辨率为V1920时ESDW/L设计为12.2/7.4μm,满足模拟条件。同时,按照此结果,可以得出ESDTFT器件在信号电压±25V变动时,电流值大于±9.5μA;而TFTLCD实际工作电压(<±10V)远小于模拟工作电压(<±25V),实际工作电流值为3～5μA,也小于此电流值,因此验证此模拟结论可行。