基于制导炸弹的折叠尾翼优化研究

在制导炸弹技术现有水平的基础上,针对一种大反安定翼+固定弹翼+前掠折叠尾翼+后缘舵的气动布局方案进行了优化研究.在减小反安定翼的翼展和弦长基础上,去掉固定弹翼中后部,只保留尾部固定弹翼前部安装折叠弹翼,大大降低了全弹弹翼张开状态的静稳定度,同时减少了大部分尾部固定翼的质量.采用FLUENT 6.3计算和仿真结果表明:展开状态时静稳定度在4%～8%之间,收缩状态最小静稳定度大于1%,具有很高的机动能力和过载能力,升阻比与宝石路ⅢGBU-24-A/B的升阻比接近,可以达到宝石路的滑翔能力.     

铝合金在线型聚能装药爆炸冲击作用下破坏模式的研究

为了研究炸高相对较小时,线型聚能装药在爆炸冲击作用下的破坏模式,对铝合金进行了爆炸切割实验和理论研究。结果表明:小炸高时,爆生气体对铝合金的破坏模式有着重要的影响;爆生气体在射流所产生的切口侧壁上形成的推力,使其底部产生了拉应力集中,当拉应力大于铝合金的极限抗拉强度时,铝合金材料受到破坏,增加了线型聚能装药对目标的切割能力。     

剪切来流下电磁减阻与尾流控制

电解质溶液中圆柱表面附近分布的电磁力可有效改变圆柱流体边界层,控制圆柱绕流。对剪切来流情形下圆柱绕流及其电磁控制进行了实验和计算研究。实验在转动水槽中进行,通过吊杆将装有电磁激活板的圆柱插在槽内液体中。吊杆上的应变片用于测试圆柱的阻力,注入适当的染料用来显示流场。数值模拟时,流场的基本方程为指数极坐标中考虑场力的Navier-Stokes方程,计算采用交替方向隐式格式和快速傅里叶变换格式。研究结果表明:剪切来流的绕流流场中,圆柱的尾涡向流速小的一侧偏移,升力和阻力周期性振荡,且升力的均值不为0,指向流速较小的一侧;电磁力作用后,圆柱的尾迹呈一条线向流速较小的一侧偏移,阻力减小且不再振荡,升力增大至稳定,指向流速较小的一侧。     

横向补给高架索系统非平面振动数值研究

考虑高架索倾角、集中质量等因素的影响,建立了横向补给高架索系统的非平面运动的动力学模型。利用Galerkin方法对动力学方程进行3阶模态离散,得到了常微分形式的动力学控制方程。借助Mathematica软件,对系统的非平面振动进行了动力学响应分析,分析了高架索倾角、张力波动等因素对高架索动力学特性的影响。研究结果表明,张力波动对高架索动力学特性影响很大,它可以改变高架索的周期运动行为以及导致高架索振幅值的大范围波动。     

基于最大故障诊断信息量准则的测试点优选方法

针对某型导弹姿态稳定分系统的测试点优选问题进行了分析研究。首先在相关性模型的基础上,综合考虑可靠性和测试费用的影响,利用信息论中熵的概念,建立了最大故障诊断信息量准则;然后根据信息量的大小依次选择测试点,确定出优选的故障诊断策略,并画出故障隔离树。实例应用表明:该方法是正确的、可行的,得到的诊断策略只需较低的测试费用。     

可重复使用运载器的RCS姿态控制技术研究

反作用控制系统作为可重复使用运载器高空的姿态控制手段,其力矩特性不同于常规的气动操纵面,因此设计适合高空姿态控制特点与要求的控制系统是非常必要的。文中采用了一种带死区的乒乓控制方式,设计了俯仰、滚转和偏航的反馈控制律,采用描述函数法在频率上分析了控制系统的稳定性。仿真结果表明,设计的控制系统能较好的满足高空姿态控制要求,最后对姿态控制效果和反作用控制系统喷量之间的关系进行了分析。     

CRT显示器色度校正的单参数模型

基于Gain-Offset-Gamma(GOG)模型,提出了CRT显示器色度校正的单参数(SP)模型。此模型表达简洁,计算简单,易编程实现。实验中分别采用SP模型和GOG模型测量了CRT显示器色度特性参数,并理论预测了CRT显示器屏幕色。实验结果表明,SP模型预测的阶调复现曲线(TRCs)比GOG模型更符合测量值;对于选用的CRT显示器屏幕色样,GOG模型预测值与测量值的最大色差ΔECIE94为1.57,平均色差为1.11,而SP模型的预测值与测量值的最大色差ΔECIE94为1.06,平均色差为0.618,比GOG模型预测有较小的色差。因此,SP模型将成为最简单、高精度的一种计算机控制CRT显示器颜色表述方法。     

一种用于流水线A/D转换器的低功耗采样/保持电路

文章介绍了一种适用于10位20MS／s流水线A／D转换器的采样／保持（S／H）电路。该电路为开关电容结构，以0．6μm DPDM CMOS工艺实现。采用差分信号输入结构，降低对共模噪声的敏感度，共模反馈电路的设计稳定了共模输出，以达到高精度。该S／H电路采用低功耗运算跨导放大器（OTA），在5V电源电压下，功耗仅为5mW。基于该S／H电路的流水线A／D转换器在20MHz采样率下，信噪比（SNR）为58dB，功耗为49mW。     

合成GaN粗晶体棒的研究

利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。     

物联网感知层的安全机制优化探究

文中针对物联网感知层的核心技术RFID的安全问题加以探究,基于PUF技术和A5流密码,有效地将两种技术结合起来,提出了一种改进的安全机制,可很好地抵御信息传输中跟踪与窃听攻击、重放攻击,以及保证信息传输的机密性和完整性,同时该改进的安全机制可以使得标签廉价。这种折中的安全体制,可以很好地改善RFID系统现有的安全体制,促进物联网安全健康发展。