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91.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
92.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展 总被引:7,自引:0,他引:7
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。 相似文献
93.
石油化工可燃气体或蒸气排放系统的消防安全设计 总被引:1,自引:1,他引:0
石油化工生产装置大多是通过火炬燃烧排放易燃易爆气体或通过放空管将易爆气体直接排入大气中。文章分析了火炬系统和放空管的火灾危险因素,并从火炬的布置、高度、排放能力、自动监控装置以及放空管的气体排放浓度、安装位置、安全装置等方面,重点论述了火炬系统和放空管的消防安全设计要点。 相似文献
94.
使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。 相似文献
95.
96.
浅谈如何有效学习计算机软件知识 总被引:1,自引:0,他引:1
黄霞 《湖南工业职业技术学院学报》2003,3(2):79-80
计算机软件知识的学习并不是完全线性的,而是不断循环往复、迭代的过程。本对如何深入、广泛、有效地学习计算机软件知识做出了一些探讨。 相似文献
97.
98.
扩声系统在体育馆中的典型应用 总被引:1,自引:1,他引:0
针对体育馆举办不同类型的大型活动,分别对扩声系统的音质及扩声特点提出要求,以人声和乐器声的频率特性为依据,阐述了调音师在不同场合中对于不同的扩声对象按所要达到的扩声效果应采取的调控方法。 相似文献
99.
不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。 相似文献
100.