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941.
想象热刺激和实际热刺激脑功能成像研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本实验用功能性核磁共振成像技术(fMRI)对人想象热刺激和实际接受热刺激进行了研究。这是继想象冷刺激和实际接受冷刺激实验之后的另一个关于想象刺激与实际接受刺激的实验、实验结果发现想象热刺激与实际热刺激激活脑区既有相同之处也有不同之处。想象热刺激激活了初级体感区(SI)、左侧额上回、左侧额中回、运动区和扣带回。实际热刺激激活了初级体感区(SI)区、右侧额上回、右侧额中回、运动区。区别在于额叶和扣带回,这个结论与想象冷刺激和实际冷刺激实验的结论几乎相同,只是两种情况下在额叶的具体差别不同。 相似文献
942.
刘跃委 《石油化工安全环保技术》2002,18(4):26-28,31
重质糠醛精制装置设备腐蚀严重与糠醛氧化变质有关,通过分析装置设备腐蚀机理和糠醛氧化、变质的原因,提出了用N_2汽提回收和原料脱水等改进措施。 相似文献
943.
944.
A silicide coating was prepared on Ti3SiC2-based ceramic by pack cementation to improve the oxidation resistance of Ti3SiC2, which is a technologically important material for high temperature applications. The microstructure, phase composition and
oxidation resistance of the coated sample were investigated. The results demonstrated that the silicide coating was mainly
composed of TiSi2 and SiC. A single layer of a mixture of SiO2 and TiO2 was formed on the surface of the coated sample during isothermal oxidation at 1100 °C and 1200 °C for 20h. Compared to Ti3SiC2, the parabolic rate constant of silicide coated Ti3SiC2 decreased by 2~3 orders of magnitude. Furthermore, the coated sample showed much better cyclic oxidation resistance than
Ti3SiC2 during the cyclic oxidation at 1100 °C for 400 times. However, during the preparation of the coating, a number of fine cracks
formed in the outer layer of the coating. When these cracks penetrated the whole coating during the cyclic oxidation, the
oxidation rate was accelerated, which degraded the oxidation resistance.
Electronic Publication 相似文献
945.
946.
智能小区中的网络和布线设计解决方案——智能建筑学术讨论系列文章之七 总被引:1,自引:0,他引:1
当前小区信息网络建设中存在多种实施方案。笔者分析比较了常用的几种典型方案的优劣。讨论了目前建设中的一些解决方法,提出了兼顾现状,适度超前的设计实施原则。 相似文献
947.
948.
Ni-Mo-O催化剂中协同作用对丙烷氧化脱氢的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
在 Ni-Mo-O体系中 ,加入 Mo O3 能极大地提高丙烷氧化脱氢制丙烯的反应活性。选用固混法、沉淀法、柠檬酸法制备了 Mo O3 过量 1 5 % (摩尔分数 )的α -Ni Mo O4催化剂 ,其中用沉淀法制得催化剂在 5 0 0℃ ,V( C3 H8) /V ( O2 ) /V ( N2 ) =1 0 /1 0 /5 0 ,反应气流量为 70 m L/min的条件下丙烷转化率可达 38.7% ,丙烯选择性达 70 .1 4 %。经 XRD,XPS,TPR表征说明 ,在含有过量 Mo O3 的催化剂中 ,α -Ni Mo O4与 Mo O3 两种晶体之间可产生微小的相互吸引 ;从而发挥协同作用 ,是提高催化剂活性 相似文献
949.
AlGaN/GaN HEMTs-an overview of device operation and applications 总被引:5,自引:0,他引:5
Mishra U.K. Parikh P. Yi-Feng Wu 《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》2002,90(6):1022-1031
Wide bandgap semiconductors are extremely attractive for the gamut of power electronics applications from power conditioning to microwave transmitters for communications and radar. Of the various materials and device technologies, the AlGaN/GaN high-electron mobility transistor seems the most promising. This paper attempts to present the status of the technology and the market with a view of highlighting both the progress and the remaining problems. 相似文献
950.
Combined shape and sizing optimization of truss structures 总被引:1,自引:0,他引:1
In this paper, an evolutionary optimization method is presented for weight minimum problem of a 3-dimensional truss structure
in terms of nodal coordinates and element cross-sectional areas. The structure is subject to stress, local buckling and displacement
constraints. Two types of design variables with different natures are optimized separately: (1) a fully stressed design (FSD)
and scaling techniques are applied to sizing variables and (2) the evolutionary node shift method is applied to shape variables.
Alternating procedure is utilized to couple the two types of variables and to combine the results. The optimum solution is
achieved gradually from the initial configuration design. Two typical truss structures are examined to illustrate the validity
of the method.
Received: 22 October 2001 / Accepted: 04 June 2002
This research work is supported by the National Natural Science Foundation of China under the guarantees no. 10072050 and
10172072, respectively. 相似文献