超滤系统应用过程常见问题分析

文章介绍了连续膜过滤(CMF-50)系统的工作原理及工艺流程,分析了系统在运行过程中的常见问题,提出了简单、实用的解决问题的具体方案。     

城中村问题调查与分析

以华北地区为主要研究对象,对秦皇岛山东堡地区进行了深入调研,从中发现城中村存在的一些共性问题,通过分析找出了症结所在并提出合理的解决方案。     

非重叠Mortar有限元法在电磁分析中的应用

Mortar元法（mortarelement method,MEM）是一种新型区域分解算法,它允许将求解区域分解为多个子域,在各个区域以最适合子域特征的方式离散。在各个区域的交界面上,边界节点不要求逐点匹配,而是通过建立加权积分形式的Mortar条件使得交界面上的传递条件在分布意义上满足。Mortar有限元法（mortar finite element method,MFEM）将MEM和有限元法（finite element method,FEM）相结合,在各区域中分别使用FEM网格离散,区域的交界面上通过施加Mortar条件实现区域间的自由度连续。该文阐述了非重叠Mortar有限单元法（non-overlappingMFEM,NO-MVEM）的基本原理,介绍了NO-MFEM的程序实现过程,使用NO-MFEM对2维静磁场问题和3维静电场问题进行了计算,并与FEM模型结果进行对比,验证了该文方法咐有效性。将NO-MFEM应用于电磁分析,丰富了电磁场数值计算理论,为运动涡流问题和大规模问题的分析提供了新的选择。     

微机五防系统在运行中的异常现象及改进措施

防误闭锁是保证变电站安全运行的重要方式之一。针对浦口供电公司微机五防系统投运初期,运行人员操作过程中经常出现走空程序和手动置位的现象,为最大限度降低因防误装置缺陷引起的恶性误操作事故,结合现场工作经验,分析了异常原因并予以改进,有效降低了现场操作中微机五防系统人工干预的几率,提高了操作可靠性。     

±800kV特高压直流输电标准体系及主设备标准的探讨

目前国内外尚未有±800 kV直流输电设备和设计标准体系。基于我国在特高压直流技术理论研究和工程实践,兼顾已有的±500 kV标准,文章探讨了±800 kV特高压直流输电标准体系的构建原则,并着重介绍了在国际上先行的±800 kV主设备相关标准,包括换流变压器、换流阀、平波电抗器、套管和绝缘子。     

助剂对CaSO_4载氧体化学链燃烧的影响

在固定床实验台架上,研究了CaSO4和添加助剂的CaSO4与气体燃料发生反应的特性。结果表明:助剂可大幅度地提高CaSO4的反应活性,缩短反应时间。在950℃下,所有复合载氧体的转化率均超过95%。在还原和氧化过程中,载氧体释放的SO2曲线呈单峰特性,且随温度显著增大;温度对COS的释放没有明显的影响作用。含Ni-Fe的载氧体等转化率下硫的损失率最小。通过程序升温还原、X射线衍射和场发射扫描电镜等表征分析,研究了样品的反应性能,成分与结构变化,并提出了一个可能的催化还原反应和硫释放机制。     

基于改进模拟植物生长算法的输电网络扩展规划

输电网络规划是一个复杂的组合优化问题,若以选择线路回数为变量抽象出模型,则输电网扩展问题可以归结为一类整数规划问题.对模拟植物生长算法进行改进,形成了适于解整数规划问题的改进模拟植物生长算法,并将此算法应用到电力系统输电网络扩展规划中.为了加快算法收敛,采用了Kruskal算法来获取初始点,提出了一种快速判别网络连通的算法.最后,实例计算结果表明了该方法的可行性.     

注入式混合型有源电力滤波器控制器的研制

针对配电网10 kV高压侧对大容量谐波抑制和无功补偿的要求,提出了注入式混合型有源电力滤波器(IHAPF)拓扑结构.在分析其基本工作原理的基础上,建立了IHAPF的数学模犁.针对其数学模型,提出采川递推积分算法进行控制,可以实现给定电流的尤稳态误差跟踪和对负载扰动信号的抑制,因为对控制器的实时性要求比较高.采用了双DSP控制器.并对控制器的硬件结构组成以及所包含的软件功能模块进行了说明.实验结果证明了所采用控制算法及控制器软硬件结构的有效性.     

外语教学中文化教学的原则

文化教学在外语教学中的重要性勿庸置疑。外语教学中文化导入在我国的提出和实践已有多年,然而文化教学的状况依然不尽理想。外语教学中漠视文化的差异的存在或对目的语文化盲目崇拜屡见不鲜,这与教学原则的缺失不无关系。提出了外语教学中文化教学的四个原则：认知原则、比较原则、同化原则和宽容原则。     

8～18GHz双刀双掷开关研究

采用混合集成电路的方法,用ＰＩＮ管芯制作了８～１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ,隔离度＞５９ｄＢ,开态驻波比≤１．６５,承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ,隔离度＞５８ｄＢ,开态与全关断态驻波比≤２．１,承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。