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SiGe-on-Insulator (SGOI) is an ideal substrate material for realizing strained-silicon structures that are very competing and popular in present silicon technology. In this paper, two methods are proposed to fabricate SGOI novel structure. One is modified Separation by Implantation of Oxygen (SIMOX) starting from pseuodomorphic SiGe thin film without graded SiGe buffer layer. Results show that two-step annealing can improve the cystallinity quality of SiGe and block the Ge diffusion in high temperature annealing. SGOI structure with good quality has been obtained through two-step annealing. The second method is proposed to achieve SGOI with high content of Ge. High quality strained relax SiGe is grown on a compliant silicon-on-insulator (SOI) substrate by UHCVD firstly. During high temperature oxidation,Ge atoms diffuse into the top Si layer of SOI. We successfully obtain SGOI with the Ge content of 38%, which is available for the growth of strained Si. 相似文献
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大冶特钢通过18tEF-20tLF(VD)工艺生产出磷含量≤0.012%,硫含量≤0.005%的H13(4Cr5MOV1)热作模具钢。 相似文献
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本文介绍了一种数字信号处理器(ADSP-2101)的开发系统──ADSP210IFEL-ICE。描述了它的基本功能和设计思想。 相似文献
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1958年中国科学院化工冶金研究所(现过程工程研究所)的创建,与建国初期的国家经济发展和国防建设的需求紧密相关。1956年陈家镛受到世界著名冶金学家叶渚沛的邀请,到正在筹建中的化工冶金研究所工作。作为国内该领域开拓者和学术带头人,陈家镛院士的学术经历是本文主线。以他带领同事们开展湿法冶金研究为案例,分析了国家重大战略需求与科学技术研究之间的关系。重点介绍了他在冶金、化工、材料等研究领域做出的重要学术贡献,以及将代表性科研成果经过中间试验应用于实际生产、解决企业所面临的技术难题的情况。藉此反映了以过程工程研究所为代表的国立科研机构,围绕国家重大战略需求开展科技攻坚的历程与成果。 相似文献
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