一种新型的用于开关电源的高压启动电路

文章提出了一种给集成开关电源提供初始电压的高压启动电路。一个增强型的VDMOS晶体管被用来提供启动电流和承受高压。VDMOS的栅被一个浮空P岛偏置。启动电路用了一个具有高的源对地击穿电压的NMOS来获得大的偏置电压范围。仿真结果表明高压启动电路能够按照设计正常的启动和重启动。本文提出的结构比起其它方案来更节能,成本更低。     

宽频带双圆极化单脉冲馈源设计

介绍了一种宽频带双圆极化单脉冲馈源,采用了一种新型馈电方式的单极对数周期天线单元,并利用这种单极对数周期单元以等间距的方式序列馈电,均匀地将8个单极对数周期天线布在一个圆锥上,巧妙地解决了宽频带内的组阵问题。用宽频带双圆极化波束形成网络馈电的该馈源,已成功地应用于某旋转抛物面。实验结果表明,该馈源工作于C波段,具有良好的左/右旋双圆极化和差性能,满足了实际使用的要求,在电子战领域具有很高的应用价值。     

低重频高能脉冲多级光纤MOPA系统的优化设计

根据低重频高能脉冲多级光纤主振荡功率放大(MOPA)系统的模型,建立了多级光纤MOPA系统的速率方程和功率传递方程,并提出了一种多级光纤MOPA系统的优化方法.与传统的单个光纤放大器的优化方法相比,该方法把每一级放大器作为系统的一部分,并通过对整个系统结果的分析来优化每一级放大器的参数.对一个两级掺Yb光纤MOPA系统进行了优化模拟计算,在获得基本相同的输出脉冲能量条件下,使用多级光纤MOPA系统优化方法计算得到的第一级光纤优化长度和泵浦功率分别比用传统优化方法得到的结果短3 m和低69.1 W.基于该优化方法,第二级放大器的参数和种子光峰值功率也得到了优化.结果表明:在对多级光纤MOPA系统进行优化时,传统的单光纤放大器优化方法被系统优化方法代替,是用最低成本获得高能量转换效率的保证.     

数字电视版权管理体系结构研究

通过对数字版权管理(Digital Rights Management,DRM)系统参考模型、密钥管理体系的研究分析,总结出数字电视版权管理的分层体系结构,将数字版权管理系统前端和终端各分为6层:应用层、会话层、权利描述层、权利实施层、底层资源层和硬件层,并对每一层进行了分析;通过建立抽象的数字电视版权管理分层模型,分析分层模型的各层及层间交互协议,找到实现DRM系统互操作的途经;不同层次的标准化将实现不同程度上的互操作.     

码长连续变化的QC-LDPC码的设计

该文基于有限多项式环的理论,提出了码长连续变化的准循环低密度奇偶校验(Quasi-Cyclic Low Density Parity Check, QC-LDPC)码的设计方法。当有限环基数大于某个门限值时,在此环内通过一定规则选择参数生成移位项,利用它们构造出的校验矩阵均可以达到较大的圈长(girth)值。在设计中,有限环基数为连续的整数,且基数与码长呈线性关系,因此能够在girth值不变的前提下实现码长的连续变化。该文分析并证明了该构造方法大大增加了可用的高性能QC-LDPC码数量,更好地服务于自适应链路系统。     

不同光纤组合中产生的超连续谱研究(本期优秀论文)

采用自制σ形腔自起振被动锁模掺铒光纤激光器泵浦不同的光纤组合产生超连续谱,对不同长度的色散位移光纤(DSF)、高非线性光纤(HNLF)和120m HNLF+102m DSF中产生的超连续谱进行比较和分析.结果表明DSF与HNLF的组合使用要比单独使用DSF获得的SC谱谱宽更宽,平坦性更好;DSF与HNLF的连接顺序不同,所产生的SC谱也不同;先接入HNLF后接入DSF更容易获得平坦的超连续谱,短波长一例的功率显著增高.     

基于FPGA的微型数字存储系统设计

详细介绍基于FPGA的微型数字存储系统的设计,该系统利用FPGA对Flash存储器进行读、写、擦除等操作．并将写入的数据通过计算机USB接口读入上位机,以此实现数据读出、显示等功能。该系统选用FPGA作为Flash的主控制器,数据传输时一次传送8位（一个字节）或更多,USB接口通信是基于CY7C68013实现的,其控制逻辑主要也是由FPGA实现。该系统设计利用FPGA硬件逻辑编程,可方便灵活地实现高速、大容量Flash程序编写．且USB接口高速传输,支持热插拔,成本低,应用广泛。     

低功耗准线性CMOS光电耦合放大器

设计了一款CMOS光电耦合隔离放大器(简称光电耦合放大器),其中输入放大器采用"套筒式"共源一共栅CMOS运放A1,输出放大器选用两级共源一共源CMOS运放A2,A1的输出信号经过两个光电耦合器反馈到输入回路,且A1、A2分别引入负反馈.此外,还采取了其他的改进措施.实验结果表明,与BiCMOS光电耦合放大器相比,所设计的CMOS光电耦舍放大器的±3 dB带宽约增加14 kHz,功耗降低5.46 mW,增益线性度提高到5.9×10-5,因而特别适合于高线性度、低功耗的光电信号处理和智能检测系统中.     

Influence of the sputtering pressure on the properties of transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputtering

Transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films with high transparency and relatively low re-sistivity have been successfully prepared on water-cooled glass substrate by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The Ar sputtering pressure was varied from 0.5 to 3 Pa. The crystallinity increases and the electri-cal resistivity decreases when the sputtering pressure increases from 0.5 to 2.5 Pa. The cystallinity decreases and the electrical resistivity increases when the sputtering pressure increases from 2.5 to 3 Pa. When the sputtering pressure The deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and a preferred orientation perpendicular to the substrate.     

Annealing before gate metal deposition related noise performance in AlGaN/GaN HEMTs

For a further improvement of the noise performance in AlGaN/GaN HEMTs, reducing the relatively high gate leakage current is a key issue. In this paper, an experiment was carried out to demonstrate that one method during the device fabrication process can lower the noise. Two samples were treated differently after gate recess etching: one sample was annealed before metal deposition and the other sample was left as it is. From a comparison of their Ig-Vg characteristics, a conclusion could be drawn that the annealing can effectively reduce the gate leakage current. The etching plasma-induced damage removal or reduction after annealing is considered to be the main factor responsible for it. Evidence is given to prove that annealing can increase the Schottky barrier height. A noise model was used to verify that the annealing of the gate recess before the metal deposition is really effective to improve the noise performance of AlGaN/GaN HEMTs.