步进式加热炉钢坯跑偏测试

钢坯在炉内的横向跑偏和纵向跑偏位移量,是步进式加热炉设备的重要性能之一.重点介绍了鞍钢1780热连轧生产线步进式加热炉钢坯跑偏测试的应用技术.     

线切割加工轧辊孔型模板提高精度的方法

详细论述了利用线切割机加轧辊孔型模板中易出现的几种影响加工精度的因素及消除方法，以达到提高模板精度。     

电子技术实验教学中科学素质与创新能力的培养

分析了当前高校电子技术实验教学中存在的一些问题，总结和介绍了作者在电子技术实验教学改革中针对提高学生科学素质和创新能力所做的一些工作尝试，并对进一步改革电子技术实验教学提出了设想。     

陆西凹陷包日温都断裂构造带岩性油藏研究

为寻找岩性油藏，应用波阻抗反演地震储层预测技术，对包日温都断裂构造带砂体展布情况进行了预测，发现并落实了2个岩性圈闭，由此认为，研究区北部是大型水下扇砂体与半深湖相暗色泥岩交汇之处，有利于形成岩性油藏，这一结论将对今后加强储层预测工作和寻找有利砂体提供借鉴。     

实施油气回收的必要性和技术方案的探讨

简要介绍油气回收技术;从环保和增加经济效益的角度,以福建炼化公司的实际情况为例提出了油气回收的方案,并对实行该方案的必要性和经济效益做了分析;希望增强炼化企业对油气回收问题的重视,达到安全生产、改善环境和节约能源的目的。     

浅谈水利枢纽道路工程建设中的几个问题及其对策

从水利枢纽工程建设的实际出发,分析了枢纽道路建设中的几个值得考虑的基本问题。针对永久性道路的建设环境和建筑特点以及临时性道路的复杂性和多样性,提出了永久性道路和临时性道路建设的基本对策。基于高新技术材料HEC作为道路建筑胶凝材料的实际工程应用,在道路结构布局观念、设计思想、建筑选材和施工工艺及其技术经济性能比等方面提出了枢纽道路工程建设的实施方案,其有效性和可推广性在水布垭道路工程建设中得到了印证。     

功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制

阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷基板。     

大港白水头地区低阻油气层测井评价

在对白水头地区低阻油层的地质特征、物性特征及成因环境进行了分析研究后 ,应用测井曲线特征集法 ,把白水头油田常规油气层、低阻油气层、油水同层、水层等看成是独立的地质事件 ,建立了它们与测井曲线特征之间的对应关系 ,利用这种关系对未知地质事件进行了预测划分。最后根据所建模型定量计算储层各种参数 ,收到了良好的地质效果 ,表明测井曲线特征集法对于识别多成因的低阻油层是一种有效方法     

Single-longitudinal-mode fiber ring laser employing an equivalent phase-shifted fiber Bragg grating

A novel single-longitudinal-mode (SLM) fiber ring laser that incorporates an equivalent phase-shifted fiber Bragg grating acting as an ultra-narrow bandpass filter in the laser cavity is proposed. The equivalent phase-shifted fiber Bragg grating has an ultra-narrow transmission bandwidth which ensures an SLM lasing. Stable SLM operation without mode hopping is demonstrated.     

An experimental study of carrier heating on channel noise in deep-submicrometer NMOSFETs via body bias

In this paper, RF noise in 0.18-mum NMOSFETs concerning the contribution of carrier heating and hot carrier effect is characterized and analyzed in detail via a novel approach that modulates the channel carrier heating and number of hot carriers using body bias. We confirm qualitatively a negligible role of hot carrier effect on the channel noise in deep-submicrometer MOSFETs. For a device under reverse body bias (V_b), even though the increase in hot carrier population is clearly characterized by dc measurements, the device high-frequency noise is found to be irrelevant to the increase in the channel hot carriers. Experimental results show that the high-frequency noise is slightly reduced with the increase in |V_b|, and can be qualitatively explained by secondary effects such as the suppression of nonequilibrium channel noise and substrate induced noise. The reduction of NF_min and R_n with the increase in |V_b| may provide a possible methodology to finely adjust the device high-frequency noise performance for circuit design