Au线键合中"塌线"问题的研究

目前,在半导体闪存多芯片的金线键合工艺中,为满足堆叠芯片不断增加等结构需要,键合线弧要求更低、更长,制造工艺变得相对更加复杂。针对生产过程中常遇到的塌线问题,通过对金线键合工艺中线弧形成动作的过程分析,以金线弹动现象为线索,探究了生产过程中塌线问题产生的原因,并给出了相应解决方案。经过此研究,长线键合的生产工艺能力得到加强,其成果对新封装产品的研发及基板设计具有有益的参考价值。     

新媒体和电视台制作环境资源结合的探讨

本文对数字电视、CMMB、互联网络、楼宇电视等新兴媒体进行技术和运营前景分析,讨论其所面临的困难,探讨如何利用电视台优势资源,解决新媒体所普遍面临的制作问题,本文通过传统电视台制作环境的分析,通过对编码方式的探讨,提出利用现有电视台制作环境为新媒体提供内容的可行性分析,并给出了实际技术运行方案。     

Development and characteristics analysis of recessed-gate MOS HEMT

An AlGaN/GaN recessed-gate MOSHEMT was fabricated on a sapphire substrate. The device, which has a gate length of 1 μm and a source-drain distance of 4 μm, exhibits a maximum drain current density of 684 mA/mm at Vgs = 4 V with an extrinsic transconductance of 219 mS/mm. This is 24.3% higher than the transconductance of conventional AlGaN/GaN HEMTs. The cut-off frequency and the maximum frequency of oscillation are 9.2 GHz and 14.1 GHz, respectively. Furthermore, the gate leakage current is two orders of magnitude lower than for the conventional Schottky contact device.     

A monolithic, standard CMOS, fully differential optical receiver with an integrated MSM photodetector

This paper presents a realization of a silicon-based standard CMOS, fully differential optoelectronic inte grated receiver based on a metal-semiconductor-metal light detector (MSM photodetector). In the optical receiver, two MSM photodetectors are integrated to convert the incident light signal into a pair of fully differential photo generated currents. The optoelectronic integrated receiver was designed and implemented in a chartered 0.35 μm, 3.3 V standard CMOS process. For 850 nm wavelength, it achieves a 1 GHz 3 dB bandwidth due to the MSM pho todetector's low capacitance and high intrinsic bandwidth. In addition, it has a transimpedance gain of 98.75 dBΩ, and an equivalent input integrated referred noise current of 283 nA from 1 Hz up to -3 dB frequency.     

基于独立分量分析的高光谱图像目标检测算法

提出一种基于独立分量分析(ICA)的高光谱图像目标检测算法.首先利用无监督正交子空间投影进行端元提取,并将端元矢量构成矩阵作为快速定点独立分量分析的初始化混合矩阵,解决了独立分量在排序上的随机性;同时采用基于噪声调整的主分量分析(NAPCA)对原始图像数据降维,继而采用初始化后的快速独立分量分析从保留的主分量中依次提取出目标.利用AVIRIS高光谱数据进行实验研究,结果表明提出的算法能够有效地提取图像中的目标信息,其性能优于改进的CEM检测算法.     

单频激光宽频段频率和强度噪声测量技术

报道了一种mHz至MHz宽频段激光噪声的规范测量技术。通过研制基于迈克耳孙光纤干涉仪的相关延时自外差频率噪声测量装置和具有定标功能的光外差拍频测量装置,结合频谱分析仪和快速傅里叶变换分析仪等标准仪器,规范地测量出了单频激光在mHz至MHz宽频段内的频率和强度噪声特性,并验证了测量结果的准确性。该测量技术有望应用于引力波探测和精密测量等应用中的激光噪声评估。     

基于嵌入式WINCE的图像采集系统的设计与实现

文章介绍了在嵌入式WINCE系统下开发USB摄像头图像采集系统的方法,给出并实现了基于三星S3C2410处理器的嵌入式图像采样系统的设计方案,并对如何编写Windows CE.Net下的摄像头图像采样USB驱动程序要点进行了讨论.因WINCE下没有考虑对众多USB设备的驱动,对于每种USB设备都要自己编写相应的驱动,所以本文实现了较通用的USB摄像头驱动编写,对其他USB摄像头和其他USB设备在WINCE上的实现有一定的参考价值.     

微细加工技术在微光开关制造中的应用

微光开关是新一代全光通信网络中的关键器件。利用微细加工技术制造微光开关具有很多突出的优点，受到了广泛的研究。总结了几种典型的微光开关制造中运用的微细加工技术，并介绍了它们的应用和相应的特点。     

GMPLS在自动交换光网络控制平面中的应用

自动交换光网络（ASON）由于引入了控制平面才成为智能的光网络，而控制平面的具体实现要依靠通用多协议标记交换（GMPLS）协议。首先讨论ASON中的控制平面，然后对GMPLS和MPLS进行比较；最后对GMPLS在ASON控制平面中的应用进行了具体分析。     

利用新型场效应管(QFET)的正向变换器

介绍了单端正向变换器基本电路，重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管（QFET）作为变换电路的主开关器件，降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。