不同粒度松散煤体的氧扩散特性实验研究

以自行研制的煤对氧扩散特性测试装置为实验手段,在常温环境条件下测试了不同粒度松散煤体对氧的自由扩散特性.实验结果表明:煤样粒度的变化对取气腔氧浓度流出曲线的影响表现出2个极限值,煤样粒度在20～100目之间时,取气腔氧气浓度梯度随煤样粒度的增大而增大;当煤样粒度<20目或>100目时,煤样粒度的再变化对氧浓度流出曲线的影响则微乎其微;取气腔氧浓度曲线流形基本符合指数曲线的变化规律.     

大容量数据库如何避免ora-01555错误

本文分析了造成ora-01555错误的原因，并提出解决办法。ora-01555错误一直是DBA与developer争论的焦点，解决其问题应是双方协调的结果。     

基于模糊信息处理的中板轧机微机在线监测系统

中板轧机是中板厂最重要的生产设备，对其工况进行在线监测意义重大，各种传感器将轧机的工况信息传送给微机系统，微机系统将这些信息进行模糊处理，发出相关信息，指导系统安全，高效运行。     

单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

动力配煤高温复合固硫剂研究

分析了高温复合固硫剂各成分的作用，实验研究了在不同配比的燃烧试验下，各成分对燃煤着火和燃烧以及对炉渣固硫的影响，得出了该煤种高温复合固硫剂的最佳配方。     

数字多媒体广播技术现状及前景

数字多媒体广播（DMB）是从数字音频广播（DAB）基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。     

一种应用于二次布局的有效划分方法

提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和hMETIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算法IMFFC,用它在二次布局中做划分.与前者相比较,这种方法虽然布局质量稍差,但速度更快.     

铁通资源管理系统的设计和实现

在分析铁路通信资源结构的基础上,利用地理信息系统技术、数据库技术和客户/服务器(C/S)模式,为铁通(ChinaTietong)各级分公司和运营部门提供一套较为完善的资源管理信息系统。文中分析了铁通资源的结构与资源之间的关联,介绍了系统功能、物理结构及体系结构,详细分析了数据库设计、地理信息系统和系统安全性所采用的关键技术。这套系统的应用对铁通网络管理的现代化将起到重要的推动作用。     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

Origin of the threshold voltage instability in SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual layer gate dielectrics

The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling.