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41.
Yiping Wang Na Chen Binfeng Yun Yiping Cui 《Photonics Technology Letters, IEEE》2007,19(16):1242-1244
A measurement method has been developed to determine the full-field deformation of a simply supported plane plate under transverse load. The method utilizes strain information provided by a set of four fiber Bragg grating sensors mounted on the plate in a way that all sensors measure strains along one certain direction. The sensors were interrogated using a wavelength swept fiber laser. Utilizing the strain information and the first four terms of Navier solution of simply supported rectangular plate, the necessary parameters for determining the deflection could be computed. By substituting the values of x- and -y- coordinates of each position on the rectangle plate, the full-field deformation information can be obtained. Single-point loading tests were experimentally performed to verify the accuracy of the method. 相似文献
42.
国内主要参展商
1.益阳橡机
益阳橡胶塑料机械集团有限公司在本次展会上,推出了一款GE-5实验室用密炼机,容积5升,啮合型转子,用于橡胶制品、白炭黑、特种胶的混炼. 相似文献
43.
44.
不同粒度松散煤体的氧扩散特性实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以自行研制的煤对氧扩散特性测试装置为实验手段,在常温环境条件下测试了不同粒度松散煤体对氧的自由扩散特性.实验结果表明:煤样粒度的变化对取气腔氧浓度流出曲线的影响表现出2个极限值,煤样粒度在20~100目之间时,取气腔氧气浓度梯度随煤样粒度的增大而增大;当煤样粒度<20目或>100目时,煤样粒度的再变化对氧浓度流出曲线的影响则微乎其微;取气腔氧浓度曲线流形基本符合指数曲线的变化规律. 相似文献
45.
单壁碳纳米管的制备及生长特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响 相似文献
46.
47.
数字多媒体广播(DMB)是从数字音频广播(DAB)基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。 相似文献
48.
49.
Kerber A. Cartier E. Pantisano L. Degraeve R. Kauerauf T. Kim Y. Hou A. Groeseneken G. Maes H.E. Schwalke U. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(2):87-89
The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling. 相似文献
50.
Si-Woong Lee Jae Gark Choi Byoung-Ju Yun 《Electronics letters》2003,39(9):712-714
An adaptive contour smoothing algorithm designed as a preprocessor for shape coders is presented. In the method, the degree of the adaptive smoothing is controlled based on the significance of each contour point, which is quantified according to inter-region contrast in an intensity image. The actual smoothing consists of an expansion operator and a thinning algorithm. 相似文献