Improvement and Regeneration of Perovskite Solar Cells via Methylamine Gas Post‐Treatment

The control of film morphology is crucial in achieving high‐performance perovskite solar cells (PSCs). Herein, the crystals of the perovskite films are reconstructed by post‐treating the MAPbI₃ devices with methylamine gas, yielding a homogeneous nucleation and crystallization of the perovskite in the triple mesoscopic inorganic layers structured PSCs. As a result, a uniform, compact, and crystalline perovskite layer is obtained after the methylamine gas post‐treatment, yielding high power conversion efficiency (PCE) of 15.26%, 128.8% higher than that of the device before processing. More importantly, this post‐treatment process allows the regeneration of the photodegraded PSCs via the crystal reconstruction and the PCE can recover to 91% of the initial value after two cycles of the photodegradation‐recovery process. This simple method allows for the regeneration of perovskite solar cells on site without reconstruction or replacing any components, thus prolonging the service life of the perovskite solar cells and distinguishing from any other photovoltaic devices in practice.     

氦-氖激光管失效物理分析

生产者和使用者普遍关心氦-氖激光管的工作寿命及其失效因素。人们对失效因素作过大量的研究工作。 在国家科委主持的第二次全国氦-氖激光器产品质量评比过程中,我们从16家工厂抽检的80支250mm腔长内腔式氦-氖激光管中,对63支管进行了5000小时的工作寿命试验(输出功率低于1mW作为寿命终止),其中30支工作寿命不足5000h,占47.6％。可见,工作寿     

面源红外诱饵的干扰特性分析以及模拟研究

面源红外诱饵已经成为对抗红外成像制导导弹的一种有效手段,为了在半实物仿真中进行面源红外诱饵的模拟,本文首先分析了面源红外诱饵干扰的特殊性,然后以实战应用为依据,结合工程模拟要求进行简化,建立了面源红外诱饵模拟的模型,最后在一定的仿真条件设置下,进行了计算机红外图像的模拟生成。仿真结果表明,随着相互距离的变化,面源红外诱饵模拟图像的大小、亮度以及运动变化符合实际情况,具有一定的应用价值。     

基于c-Si(P)衬底的a-Si/c-Si异质结模拟研究

本文中研究了影响 a-Si/c-Si 异质结界面复合的主要因素： 表面固定电荷 ,缺陷态载流子俘获界面： ,以及界面缺陷态密度 。当缺陷能级 接近c-Si本征能级,且 满足时,缺陷态复合中心复合速度达到最大。AFORS-HET 软件模拟显示, a-Si/c-Si界面能带不连续显著影响电池Voc、界面缺陷态密度大于1*1010 cm-2.eV-1时,界面态密度的增加会严重降低电池Voc,但其对电池电流密度影响不大。对于c-Si (P)/a-Si (P ) 结构异质结,C-Si衬底的势垒 和a-Si材料内的势垒 对降低c-Si (P)/a-Si (P ) 结构的接触电阻和界面复合速度,表现各不相同。     

漏及衬底偏压对深亚微米工艺器件总剂量效应的影响

本文对采用0.18?m工艺制造的NMOS器件辐射总剂量效应进行了研究。对晶体管进行了不同剂量的₆₀Co辐射实验,同时测试了辐照前后晶体管电学参数随漏、衬底偏压的变化的规律。采用STI寄生晶体管模型来解释晶体管的关态漏电流及阈值电压漂移性质。3D器件仿真验证了模型的准确性。     

基于喇曼-奈斯衍射的微光机电加速度计理论分析和原理验证

本文设计并模拟了了一种新型的基于喇曼-奈斯衍射的微光机电（MOEMS）加速度计。该加速度计将通过MEMS技术制造,并具有与已见报导的MOEMS加速度计完全不同的敏感原理。本文详细讨论了该新型加速度计的基础理论与原理;建立了弯曲板波延迟线振荡器的3D有限元模型,进行了谐响应分析和瞬态分析,得到器件工作频率在40MHz左右;最后建立了该微型加速度计的宏模型,对该器件的可行性进行了论证。该新型加速度计具有灵敏度高、抗辐射等优点,具有很大的应用前景。     

Electrically and Sunlight‐Driven Actuator with Versatile Biomimetic Motions Based on Rolled Carbon Nanotube Bilayer Composite

Designing multistimuli responsive soft actuators which can mimic advanced and sophisticated biological movements through simple configuration is highly demanded for the biomimetic robotics application. Here, inspired by the human's flick finger behavior which can release large force output, a soft jumping robot mimicking the gymnast's somersault is designed based on the rolled carbon nanotube/polymer bilayer composite actuator. This new type of rolled bilayer actuator with tubular shape is fabricated and shows electrically and sunlight‐induced actuation with remarkable performances including ultralarge deformation from tubular to flat (angel change >200° or curvature >2 cm^?1), fast response (<5 s), and low actuation voltage (≤10 V). Besides jumping, the uniquely reversible rolling–unrolling actuation can lead to other smart soft robots with versatile complex biomimetic motions, including light‐induced tumbler with cyclic wobbling, electrically/light‐induced crawling‐type walking robots and grippers, electrically induced mouth movement, and ambient‐sunlight‐induced blooming of a biomimetic flower. These results open the way for using one simple type of actuator structure for the construction of various soft robots and devices toward practical biomimetic applications.     

基于喇曼-奈斯衍射的MOEMS加速度计的设计与工艺实验

本文主要设计了一种新型的基于喇曼奈斯声光衍射的微光机电加速度计。它主要由一个声光移频器与一系列光波导构成。文章首先对器件的基础理论与基本原理做了简要的介绍。然后设计了一种基于弯曲板波的延迟线振荡器做为声光移频器,其克莱因-考克参数为0.38。设计了厚度2微米,宽度0.6微米的单模光波导用于光的传输,同时还设计了波导偏振器以保证波导内的光具有相同的偏振方向。接着,基于前文的设计,文中提出了基于硅工艺的器件加工方案与流程,并详细讨论了加工流程中存在的难点与问题。最后针对提出的难点与问题进行了一系列的工艺实验,找到了解决难点和问题并复合设计要求的工艺条件与参数,实验结果表面本文提出的器件的设计与加工是可靠可行的。     

基于SiGe虚拟衬底的低场迁移率提升140%的应变Si沟道NMOS器件 Cui Wei(崔伟)1,2,Tang Zhaohuan(唐昭焕)2, Tan Kaizhou(谭开洲)2, Zhang Jing(张静)2,

本文研究了一种应变SiGe沟道的NMOS器件,通过调整硅帽层、SiGe缓冲层,沟道掺杂和Ge组分变化,并采用变能量硼注入形成P阱的方式,成功完成了应变NMOS器件的制作。测试结果表明应变的NMOS器件在低场(Vgs=3.5V, Vds=0.5V)条件下,迁移率极值提升了140%,而PMOS器件性能保持不变。文中对硅基应变增强机理进行了分析。并利用此NMOS器件研制了一款CMOS倒向器,倒向器特性良好, 没有漏电,高低电平转换正常。     

采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。